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| 講演名 | 2020-11-27 13:20 量子殻活性層およびトンネル接合を有するナノワイヤ発光デバイス実現に向けた結晶成長に関する検討 ○宮本義也・曽根直樹・Weifang Lu・奥田廉士・伊藤和真・奥野浩司・飯田一喜・上山 智・竹内哲也・岩谷素顕（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大）  ED2020-19 CPM2020-40 LQE2020-70 |
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| 抄録 | （和） | 本研究ではコアシェル型GaNナノワイヤを用いた発光デバイスの実現に向けて、埋め込みn-GaN層の成長を検討した。ナノインプリントにより選択成長用マスクを形成させたn-GaNテンプレート基板およびGaN基板上にMOVPE法を用いてn-GaNナノワイヤを成長させ、これを覆うように量子殻活性層（multiple-quantum-shell; MQS）、p-GaN層、トンネル接合層を成長させた。そして、その上にn-GaNによる埋め込み成長を実施した。埋め込みn-GaN層に2段階成長を採用することで、表面平坦性が向上することをSEM観察にて確認した。また、ELによって発光特性を評価したところ、比較的低電圧での電流注入と発光を確認できた。 |
| （英） | In this work, we investigated the growth conditions of n-GaN cap layer for nanowire-based laser diodes. The selective-area growth of the MQS/nanowire core-shell structures on patterned n-GaN/sapphire and GaN substrate was performed by metalorganic vapour phase epitaxy. Further, the core-shell structures were covered with the tunnel junction and the n-GaN cap layer. A two-step growth of n-GaN cap layer was carried out under various growth conditions. The improvement in surface flatness and void reduction in between the nanowires was confirmed by scanning electron microscope observation. In addition, reasonably low operating voltage and distinct light emission were observed in the electroluminescence measurements. | |
| キーワード | （和） | ナノワイヤ / MOVPE / / / / / / |
| （英） | Nanowire / MOVPE / GaN / Light emitter / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 120, no. 256, LQE2020-70, pp. 71-74, 2020年11月. | |
| 資料番号 | LQE2020-70 | |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2020-19 CPM2020-40 LQE2020-70 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE CPM ED |
| 開催期間 | 2020-11-26 - 2020-11-27 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2020-11-LQE-CPM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 量子殻活性層およびトンネル接合を有するナノワイヤ発光デバイス実現に向けた結晶成長に関する検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on crystal growth for nanowire-based light emitter including multiple-quantum-shell and tunnel junction |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノワイヤ / Nanowire |
| キーワード(2)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(3)（和/英） | / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | / Light emitter |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮本 義也 / Yoshiya Miyamoto / ミヤモト ヨシヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 曽根 直樹 / Naoki Sone / ソネ ナオキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Weifang Lu / Weifang Lu / ウェイファン ルー |
| 第3著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 奥田 廉士 / Renji Okuda / オクダ レンジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 和真 / Kazuma Ito / イトウ カズマ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 奥野 浩司 / Koji Okuno / オクノ コウジ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 飯田 一喜 / Kazuyoshi Iida / イイダ カズヨシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi / タケウチ テツヤ |
| 第9著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya / イワヤ モトアキ |
| 第10著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤﨑 勇 / Isamu Akasaki / アカサキ イサム |
| 第11著者 所属（和/英） | 名城大学/名古屋大・赤﨑記念研究センター (略称： 名城大/名大) Meijo University/Akasaki Research Center, Nagoya Univ. (略称： Meijo Univ./Akasaki Research Center, Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2020-11-27 13:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2020-19, CPM2020-40, LQE2020-70 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | no.254(ED), no.255(CPM), no.256(LQE) |
| ページ範囲 | pp.71-74 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |
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