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講演抄録/キーワード
講演名 2020-12-02 10:30
非結晶Ga-Sn-O薄膜熱電変換素子の特性評価
山本佑平荒牧達也伊藤 良木村 睦龍谷大EID2020-3 SDM2020-37
抄録 (和) 工場や自動車、PC などから発生する排熱の多くは未利用の状態である.
熱電変換素子はその熱エネルギーを電気エネルギーに変換することが可能であり、クリーンな発電方法として注目されている.
そのなかで透明性やフレキシブル性を持つ熱電材料は窓ガラスを利用した発電や IoT センサなどへの応用が可能である。
そこで我々は透明性とフレキシブル性を持つレアメタルフリー酸化物半導体の GTO 薄膜を用いて薄膜熱電変換素子の研究を行っている.
本研究では本研究では GTO 熱電変換素子のアニール,スパッタ時の酸素流量比の依存性の評価を行った.
100℃~400℃の低温でのアニールをサンプルに施すとアニール温度 200℃までは導電率の向上が見られ、アニール温度が 300℃を越すと導電率が減少することが確認された. 
(英) Most of the exhaust heat generated from factories, automobiles, PCs, etc. is unused. Thermoelectric conversion device can convert the heat energy into electrical energy. And it’s attracting attention as a clean power generation method. Among them, thermoelectric materials with transparency and flexibility can be applied to power generation using window glass and IoT sensors. Therefore, we are researching thin film thermoelectric conversion devices using GTO thin films which are transparent, flexible and rare metal-free oxide semiconductors. In this study, we evaluated the dependence of the oxygen flow ratio during sputtering and temperature post-annealing after film formation of the GTO thermoelectric conversion device. The sample was annealed at a low temperature of 100 °C to 400 °C. The conductivity improved until the temperature after annealing reached 200°C. After that, when the annealing temperature exceeded 300°C, the conductivity decreased.
キーワード (和) 熱電変換素子 / ゼーベック効果 / 酸化物半導体 / 透明酸化物半導体 / / / /  
(英) Thermoelectric conversion device / Seebeck effect / Oxide semiconductor / Transparent oxide semiconductor / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 120, no. 272, EID2020-3, pp. 9-12, 2020年12月.
資料番号 EID2020-3 
発行日 2020-11-25 (EID, SDM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EID2020-3 SDM2020-37

研究会情報
研究会 EID SDM ITE-IDY  
開催期間 2020-12-02 - 2020-12-02 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 / 半導体材料プロセス・デバイス研究会 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 EID 
会議コード 2020-12-EID-SDM-IDY 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 非結晶Ga-Sn-O薄膜熱電変換素子の特性評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Characterization of amorphous Ga-Sn-O thin film thermoelectric conversion element 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 熱電変換素子 / Thermoelectric conversion device  
キーワード(2)(和/英) ゼーベック効果 / Seebeck effect  
キーワード(3)(和/英) 酸化物半導体 / Oxide semiconductor  
キーワード(4)(和/英) 透明酸化物半導体 / Transparent oxide semiconductor  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 佑平 / Yuhei Yamamoto / ヤマモト ユウヘイ
第1著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 荒牧 達也 / Tatuya Aramaki / アラマキ タツヤ
第2著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 良 / Ryo Ito / イトウ リョウ
第3著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 木村 睦 / Mutumi Kimura / キムラ ムツミ
第4著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2020-12-02 10:30:00 
発表時間 15分 
申込先研究会 EID 
資料番号 EID2020-3, SDM2020-37 
巻番号(vol) vol.120 
号番号(no) no.272(EID), no.273(SDM) 
ページ範囲 pp.9-12 
ページ数
発行日 2020-11-25 (EID, SDM) 


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