| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2020-12-02 15:35
Cu2GeTe3を用いた相変化メモリ ○赤根詩穂里(龍谷大)・堀内 功(KOA)・木村 睦(龍谷大) EID2020-13 SDM2020-47 |
| 抄録 |
(和) |
我々は「Cu2GeTe3:銅・ゲルマニウム・テルル(CGT)」を用いた相変化メモリ(PCRAM)についての研究を行なっている。従来の相変化メモリに「Ge2Sb2Te5:ゲルマニウム・アンチモン・テルル(GST)」が相変化材料として使われているが、GSTより高い温度で結晶化し、低い温度でアモルファス化するため、RESET動作の低エネルギー化を期待できるCGTを使用した。今回はCGTの膜厚が異なるデバイスを作製し、I-V特性を測定した。全てのデバイスでPCRAMの挙動を確認することができた。 |
| (英) |
We are conducting research on Phase Change Random Access Memory (PCRAM) using “Cu2GeTe3: Copper-Germanium-Tellurium (CGT)”. The fast crystallization speed and good reversibility between the amorphous and crystalline states make “Ge2Sb2Te5:Germanium-Antimony-Tellurium(GST)” the most popular phase change material. CGT is expected to save energy because its amorphization temperature is lower and cllistallization temperature is higher than that of GST, was used as the phase change material of PCRAM. In this study, we fabricated PCRAM with different CGT film thickness and measured I-V characteristics. All devices showed resistive switching behavior caused by phase change of CGT. |
| キーワード |
(和) |
相変化メモリ / 相変化材料 / Cu2GeTe3 / アモルファス / 結晶 / / / |
| (英) |
PCRAM / phase change material / Cu2GeTe3 / amorphous / crystal / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 120, no. 272, EID2020-13, pp. 50-53, 2020年12月. |
| 資料番号 |
EID2020-13 |
| 発行日 |
2020-11-25 (EID, SDM) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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