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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2020-12-02 15:35 Cu2GeTe3を用いた相変化メモリ ○赤根詩穂里（龍谷大）・堀内 功（KOA）・木村 睦（龍谷大）  EID2020-13 SDM2020-47 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2020-13 SDM2020-47 |
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| 抄録 | （和） | 我々は「Cu2GeTe3:銅・ゲルマニウム・テルル(CGT)」を用いた相変化メモリ（PCRAM）についての研究を行なっている。従来の相変化メモリに「Ge2Sb2Te5:ゲルマニウム・アンチモン・テルル(GST)」が相変化材料として使われているが、GSTより高い温度で結晶化し、低い温度でアモルファス化するため、RESET動作の低エネルギー化を期待できるCGTを使用した。今回はCGTの膜厚が異なるデバイスを作製し、I-V特性を測定した。全てのデバイスでPCRAMの挙動を確認することができた。 |
| （英） | We are conducting research on Phase Change Random Access Memory (PCRAM) using “Cu2GeTe3: Copper-Germanium-Tellurium (CGT)”. The fast crystallization speed and good reversibility between the amorphous and crystalline states make “Ge2Sb2Te5:Germanium-Antimony-Tellurium(GST)” the most popular phase change material. CGT is expected to save energy because its amorphization temperature is lower and cllistallization temperature is higher than that of GST, was used as the phase change material of PCRAM. In this study, we fabricated PCRAM with different CGT film thickness and measured I-V characteristics. All devices showed resistive switching behavior caused by phase change of CGT. | |
| キーワード | （和） | 相変化メモリ / 相変化材料 / Cu2GeTe3 / アモルファス / 結晶 / / / |
| （英） | PCRAM / phase change material / Cu2GeTe3 / amorphous / crystal / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 120, no. 272, EID2020-13, pp. 50-53, 2020年12月. | |
| 資料番号 | EID2020-13 | |
| 発行日 | 2020-11-25 (EID, SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2020-13 SDM2020-47 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2020-13 SDM2020-47 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID SDM ITE-IDY |
| 開催期間 | 2020-12-02 - 2020-12-02 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 / 半導体材料プロセス・デバイス研究会 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EID |
| 会議コード | 2020-12-EID-SDM-IDY |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Cu2GeTe3を用いた相変化メモリ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Phase Change Random Access memory using Cu2GeTe3 |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 相変化メモリ / PCRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 相変化材料 / phase change material |
| キーワード(3)（和/英） | Cu2GeTe3 / Cu2GeTe3 |
| キーワード(4)（和/英） | アモルファス / amorphous |
| キーワード(5)（和/英） | 結晶 / crystal |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤根 詩穂里 / Shihori Akane / アカネ シホリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀内 功 / Isao Horiuchi / ホリウチ イサオ |
| 第2著者 所属（和/英） | KOA株式会社 (略称： KOA) KOA corporation (略称： KOA Corp) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木村 睦 / Mutsumi Kimura / キムラ ムツミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 龍谷大学 (略称： 龍谷大) Ryukoku University (略称： Ryukoku Univ) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2020-12-02 15:35:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | EID |
| 資料番号 | EID2020-13, SDM2020-47 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | no.272(EID), no.273(SDM) |
| ページ範囲 | pp.50-53 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-25 (EID, SDM) |
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