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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2020-12-10 13:15 リアクタンス補償小型合成回路を用いた3.9GHz帯GaN HEMTアウトフェージング増幅器 ○小笠原遼一・高山洋一郎・石川 亮・本城和彦（電通大）  MW2020-71 |
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| 抄録 | （和） | 近年，通信トラフィックの増加を背景に無線通信システムにおいても大容量の通信の必要性が高まっている．大容量無線通信では，ピーク対平均電力比（PAPR）が大きい広帯域デジタル変調信号を使用するため，電力増幅器は，広いダイナミックレンジで高効率が得られるものが求められている．本報告では，広ダイナミックレンジでの高効率化を図るため，小型合成回路によるアウトフェージング増幅器を提案し，試作・評価を通して検証した．小型合成回路は直列負荷補償に基づいて設計を行い，λ/4線路を用いることなく1つのインダクタと1つのコンデンサのみで構成した．整合回路設計ではダイナミックレンジを拡大するために，バックオフおよび飽和状態付近での2条件最適化を行った．試作したGaN HEMTアウトフェージング電力増幅器は，3.92 GHzにおいて37 dBmの飽和出力電力，77 %の最大ドレイン効率を示した．さらに7 dBの出力バックオフ内で50 %を超えるドレイン効率が得られた． |
| （英） | Recently, the need for large-capacity communications has increased in wireless communication systems due to the increase in communication traffic. Since wideband digitally modulated signals with a large peak-to-average power ratio (PAPR) are used in large-capacity wireless communication, power amplifiers with high- efficiency over a wide dynamic range are required. In this report, we have proposed, fabricated, and evaluated an outphasing amplifier with a small combiner circuit. The small combiner circuit is designed based on series load compensation and consists of only one inductor and one capacitor without quarter-wavelength transmission lines. In the matching circuit design, dual-power-level optimization was performed near the back-off and saturation in order to expand the dynamic range. The fabricated GaN HEMT outphasing power amplifier showed a saturated output power of 37 dBm and a maximum drain efficiency of 77 % at 3.92 GHz. Furthermore, a drain efficiency of over 50 % was obtained within a 7 dB output back-off. | |
| キーワード | （和） | 電力増幅器 / 高効率 / アウトフェージング / 広ダイナミックレンジ / 負荷変調 / / / |
| （英） | power amplifiers / high efficiency / outphasing / wide dynamic range / load modulation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 120, no. 280, MW2020-71, pp. 1-6, 2020年12月. | |
| 資料番号 | MW2020-71 | |
| 発行日 | 2020-12-03 (MW) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2020-71 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2020-12-10 - 2020-12-10 |
| 開催地（和） | 富士通研究所 (厚木)+オンライン開催 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 計測技術/一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2020-12-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | リアクタンス補償小型合成回路を用いた3.9GHz帯GaN HEMTアウトフェージング増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 3.9-GHz-Band GaN HEMT Outphasing Power Amplifier with Reactance-Compensation Compact Combiner |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電力増幅器 / power amplifiers |
| キーワード(2)（和/英） | 高効率 / high efficiency |
| キーワード(3)（和/英） | アウトフェージング / outphasing |
| キーワード(4)（和/英） | 広ダイナミックレンジ / wide dynamic range |
| キーワード(5)（和/英） | 負荷変調 / load modulation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小笠原 遼一 / Ryoichi Ogasawara / オガサワラ リョウイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高山 洋一郎 / Yoichiro Takayama / タカヤマ ヨウイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 亮 / Ryo Ishikawa / イシカワ リョウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo / ホンジョウ カズヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2020-12-10 13:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2020-71 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | no.280 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2020-12-03 (MW) |
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