| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2020-12-25 13:40
光学干渉非接触温度測定(OICT)を用いたシリコンウェハ内部の過渡的温度変化過程の測定
○裏崎裕也・花房宏明・東 清一郎（広島大） |
| 抄録 |
（和） |
独自に開発した光学干渉非接触温度測定(Optical-Interference Contactless Thermometer: OICT)は, 光の干渉を利用した温度測定方法であり, 応答速度が速く, ウェハ内部の温度変化が分かり, ウェハの裏面からウェハ表面の温度が分かるという特徴がある. この利点によりプラズマプロセス中のウェハ表面の温度を高精度に測定することやMOSトランジスタを模擬し, デバイス内部の温度変化の可視化を試みてきた. このような特徴を持つOICTをほかの分野に応用させること, OICTを用いた温度測定の可能性を調べるために本研究では, Siの熱光学係数(Thermal-Optical Coefficient: TOC)の改善に取り組んだ. その結果, 正確性の高いTOC測定の結果が得られた. また, Siの温度依存による吸収係数についても考察した. 次に, Siウェハ上に成膜したNiに連続パルス電流を流し, 急峻な温度変化を加え, ジュール熱により温度変化を与えた状態で測定し, 加熱と放熱が高い時間分解能で測定可能であることを示した. |
| （英） |
Optical-Interference Contactless Thermometer(OICT), which was originally developed by our laboratory, is a temperature measurement method that uses light interference. It has feature of a fast response, that temperature change inside the wafer can be seen, and that temperature of the wafer of surface can be measured from the backside of the wafer. Due to this advantage, we have tried to measure the temperature of the wafer of surface during the plasma process with high accuracy and to imitate the MOS transistor to visualize the temperature change inside the device. In order to apply OICT with such characteristics to other fields and to investigate the possibility of temperature measurement, in this study, we worked on improving the Thermal-Optical Coefficient(TOC) of Si. As a result, high accurate TOC measurement results were obtained. The absorption coefficient of Si as a function of temperature was also considered. Next, a continuous pulse current was applied to the Ni film formed on the Si wafer, and a steep temperature change was applied. It was measured with the temperature changed by Joule heat, and it was shown that heating and heat dissipation can be measured with high time resolution. |
| キーワード |
（和） |
OICT / TOC / 温度測定 / 高温環境 / / / / |
| （英） |
OICT / TOC / Temperature measurement / High temperature / / / / |
| 文献情報 |
信学技報 |
| 資料番号 |
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| 発行日 |
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| ISSN |
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| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
OME |
| 開催期間 |
2020-12-25 - 2020-12-26 |
| 開催地（和） |
沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） |
Okinawaken Seinen Kaikan |
| テーマ（和） |
バイオテクノロジー、表面界面、計測技術、エレクトロニクス、その他 |
| テーマ（英） |
bio-technology, surface and interfacial phenomena, measurement and observation, electronics, and other researches relating these |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
OME |
| 会議コード |
2020-12-OME |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
光学干渉非接触温度測定(OICT)を用いたシリコンウェハ内部の過渡的温度変化過程の測定 |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
Measurement of Transient Temperature Change Process inside Silicon Wafer using Optical-Interference Contactless Thermometer(OICT) |
| サブタイトル（英） |
|
| キーワード(1)（和/英） |
OICT / OICT |
| キーワード(2)（和/英） |
TOC / TOC |
| キーワード(3)（和/英） |
温度測定 / Temperature measurement |
| キーワード(4)（和/英） |
高温環境 / High temperature |
| キーワード(5)（和/英） |
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| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
裏崎 裕也 / Yuya Urasaki / ウラサキ ユウヤ |
| 第1著者 所属（和/英） |
広島大学 (略称： 広島大)
Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
花房 宏明 / Hiroaki Hanafusa / ハナフサ ヒロアキ |
| 第2著者 所属（和/英） |
広島大学 (略称： 広島大)
Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
東 清一郎 / Seiichiro Higashi / ヒガシ セイイチロウ |
| 第3著者 所属（和/英） |
広島大学 (略称： 広島大)
Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第36著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2020-12-25 13:40:00 |
| 発表時間 |
20分 |
| 申込先研究会 |
OME |
| 資料番号 |
|
| 巻番号（vol） |
vol.120 |
| 号番号（no） |
no.307 |
| ページ範囲 |
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| ページ数 |
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| 発行日 |
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