講演抄録/キーワード |
講演名 |
2021-03-01 14:35
自己組織化膜を正孔バッファー層に用いた逆型ペロブスカイト太陽電池の作製 ○上田隆夫・佐藤光騎・伊東栄次(信州大)・小野博信・郷田 隼(日本触媒) OME2020-21 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2020-21 |
抄録 |
(和) |
本研究では、浸漬によって製膜したカルバゾール誘導体の自己組織化単分子膜、またはポリマー材料と酸化グラフェン(GO)の交互吸着膜を極薄の正孔バッファー層とし、電子バッファー層にZnO系のナノ粒子を用いた逆型ペロブスカイト太陽電池の作製と評価を行った。ITOを極薄の正孔バッファー層で被覆することで結晶性は変わらないが、より緻密なペロブスカイト膜が得られ、正孔バッファー層の正孔選択性と漏れ電流が抑えられたことで太陽電池の高効率化に繋がった。加えてスピンコート時にクロロベンゼンをドリッピングするタイミングや回転条件を変えることでペロブスカイト層が緻密になり短絡光電流やフィルファクターが改善し高性能化した。 |
(英) |
In this study, we have fabricated inverted perovskite solar cells (IPSCs) consisting of ITO/ultra-thin hole buffer layer/ perovskite layer/ fullerene derivative (PCBM)/ ZnO-based electron buffer layer/ Al structures. We prepared hole buffer layers with self-assembled-monolayer (SAM) of carbazole derivative or ultra-thin graphene oxide (GO) film deposited by layer-by-layer deposition of GO and poly(diallyldimethylammonium chloride) (PDDA), and electron buffer layers with ZnO and aluminum doped ZnO nanoparticles. The power conversion efficiencies and fill factors of IPSCs with SAM hole buffer layers markedly improved owing to the efficient hole selectivity and relatively dense perovskite film formation. This feature also contributes to the reduction of leakage current. The fill factor and short circuit current of IPSCs were also improved by changing the dripping condition of chlorobenzene during the spincoating of precursor solution of perovskite layers. |
キーワード |
(和) |
逆型ペロブスカイト太陽電池 / 酸化グラフェン / カルバゾール誘導体 / ZnOナノ粒子 / / / / |
(英) |
Inverted perovskite solar cells / Graphene oxide / carbazole derivatives / zinc oxide nanoparticles / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 120, no. 383, OME2020-21, pp. 8-13, 2021年3月. |
資料番号 |
OME2020-21 |
発行日 |
2021-02-22 (OME) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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