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講演抄録/キーワード
講演名 2021-03-03 13:45
薄いCuOx膜を用いたZr/ZrO2/Pt構造の電気的特性
川合祐貴山本和輝大塚 祐佐藤 勝武山真弓北見工大CPM2020-69 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2020-69
抄録 (和) 近年、抵抗変化型メモリは、最も有望な次世代の不揮発性メモリの1つとして注目されている。本研究では、動作電流を低減させるために、Zr/ZrO2/Pt構造とZr/CuOx/ZrO2/Pt構造という二つの構造を作製し、I-V特性を検討した。その結果ZrO2単層構造では抵抗変化が起こらず、CuOx/ZrO2積層構造ではバイポーラ型の抵抗変化が見られた。 
(英) In recent years, a Resistive Random Access Memory (RRAM) has been attracting attention as one of the most promising next generation non-volatile memories. In this study, we made two structures of, Zr/ZrO2/Pt and Zr/CuOx/ZrO2/Pt, as candidates to reduce the operating current, and their I-V characteristics were investigated. As a result, the CuOx/ZrO2 stacked structure showed a bipolar resistive switching.
キーワード (和) 抵抗変化型メモリ / 次世代不揮発性メモリ / バイポーラ型 / / / / /  
(英) Resistive random access memory / next generation non-volatile memories / Bipolar / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 120, no. 408, CPM2020-69, pp. 52-54, 2021年3月.
資料番号 CPM2020-69 
発行日 2021-02-24 (CPM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2020-69 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2020-69

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2021-03-03 - 2021-03-03 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) 若手ミーティング 電子部品材料、一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2021-03-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 薄いCuOx膜を用いたZr/ZrO2/Pt構造の電気的特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Electrical properties of Zr/ZrO2/Pt stacked structure with/without thin CuOx film 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 抵抗変化型メモリ / Resistive random access memory  
キーワード(2)(和/英) 次世代不揮発性メモリ / next generation non-volatile memories  
キーワード(3)(和/英) バイポーラ型 / Bipolar  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 川合 祐貴 / Yuki Kawai / カワイ ユウキ
第1著者 所属(和/英) 北見工業大学 (略称: 北見工大)
Kitami Institute of Technology (略称: Kitami Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 和輝 / Kazuki Yamamoto / ヤマモト カズキ
第2著者 所属(和/英) 北見工業大学 (略称: 北見工大)
Kitami Institute of Technology (略称: Kitami Inst. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 大塚 祐 / Yu Otsuka / オオツカ ユウ
第3著者 所属(和/英) 北見工業大学 (略称: 北見工大)
Kitami Institute of Technology (略称: Kitami Inst. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 勝 / Masaru Satou / サトウ マサル
第4著者 所属(和/英) 北見工業大学 (略称: 北見工大)
Kitami Institute of Technology (略称: Kitami Inst. of Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 武山 真弓 / Mayumi B.Takeyama / マユミ タケヤマ
第5著者 所属(和/英) 北見工業大学 (略称: 北見工大)
Kitami Institute of Technology (略称: Kitami Inst. of Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2021-03-03 13:45:00 
発表時間 15分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2020-69 
巻番号(vol) vol.120 
号番号(no) no.408 
ページ範囲 pp.52-54 
ページ数
発行日 2021-02-24 (CPM) 


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