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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2021-07-20 09:55 SiC MOSFETのハーフブリッジ回路を用いた放射ノイズの支配的動作の分離に関する検討 ○只熊利弥（九大）・松高佑紀・鈴木 伸・上甲基信（三菱電機）・庄山正仁（九大）  EE2021-11 |
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| 抄録 | （和） | パワーエレクトロニクス技術の向上にはパワーデバイス特性の向上は欠かせず、資源の有効利用のためには低損失の素子の進化は必須である。しかし、スイッチング損失の低減のためにスイッチング動作の高速化は避けられず、相反するノイズの規格を考慮しながらパワーエレクトロニクス製品は最適化されていくと予想する。効率的な設計のために事前に放射ノイズの発生状態を把握しておきたいが、一般的にはダブルパルス試験による電圧や電流波形と算出された値から推定することが多く、よりよい把握までには至っていないと推察する。そこで、電波暗室内でダブルパルス試験をして放射ノイズの発生タイミングと強度の把握をし、放射ノイズの電流依存性を従来のスイッチング特性に含めて検討可能にする拡張ダブルパルス試験のアイデアをSiC MOSFET のハーフブリッジ回路の構成を利用して提案する。 |
| （英） | Improving characteristics of power devices are indispensable for improving power electronics technology, and the evolution of low-loss devices is essential for effective use of resources. However, in order to reduce switching loss, it is inevitable to increase the switching speed, and it is expected that power electronics products will be optimized while considering conflicting noise standards. For efficient design, some designers would like to grasp the tendency of radiated noise in advance, but in general, it is often estimated from the voltage and current waveforms obtained by the double pulse test and the calculated values. Therefore, this article will propose an idea of an extended double pulse test that enables a double pulse test in anechoic chamber to grasp the timing of radiated noise generation and its magnitude, and to include the radiated noise current dependency in the conventional switching characteristics using the configuration of the half-bridge circuit of SiC MOSFET. | |
| キーワード | （和） | SiC / MOSFET / パワーデバイス / 放射ノイズ / EMI / / / |
| （英） | SiC / MOSFET / Power device / Radiated noise / EMI / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 124, EE2021-11, pp. 21-25, 2021年7月. | |
| 資料番号 | EE2021-11 | |
| 発行日 | 2021-07-12 (EE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EE2021-11 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EE IEE-SPC |
| 開催期間 | 2021-07-19 - 2021-07-20 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | エネルギー技術、半導体電力変換、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EE |
| 会議コード | 2021-07-EE-SPC |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiC MOSFETのハーフブリッジ回路を用いた放射ノイズの支配的動作の分離に関する検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Consideration of dominant switching timing separation on radiated noise using SiC MOSFET half bridge |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | パワーデバイス / Power device |
| キーワード(4)（和/英） | 放射ノイズ / Radiated noise |
| キーワード(5)（和/英） | EMI / EMI |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 只熊 利弥 / Toshiya Tadakuma / タダクマ トシヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松高 佑紀 / Yuki Matsutaka / マツタカ ユウキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 伸 / Shin Suzuki / スズキ シン |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上甲 基信 / Motonobu Joko / ジョウコウ モトノブ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 庄山 正仁 / Masahito Shoyama / ショウヤマ マサヒト |
| 第5著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2021-07-20 09:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | EE |
| 資料番号 | EE2021-11 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.124 |
| ページ範囲 | pp.21-25 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2021-07-12 (EE) |
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