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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2021-10-08 13:25 Fe-N薄膜におけるγ'相の形成と磁歪 ○前田悠良・今村光佑・大竹 充・川井哲郎・二本正昭（横浜国大）・桐野文良（東京藝術大）・稲葉信幸（山形大）  MRIS2021-7 |
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| 抄録 | （和） | 反応性スパッタリング法によりMgO単結晶基板上にFe-N薄膜を形成し，基板温度がγ’-Fe4N相の形成に及ぼす影響について調べた．また，γ’相の磁歪定数λ100およびλ111を実験的に明らかにした．基板温度がRTの場合，γ’とα’’相から構成される多結晶膜が形成された，200 °C形成した膜はγ’相の多結晶に加えて，γ’相のエピタキシャル結晶から構成された．400 °Cまで基板温度を増加させると，γ’相の単結晶膜が得られた．しかしながら，基板温度を600 °Cまで更に上昇させると，α相の単結晶膜が形成された．400 °C程度の基板温度がγ’相の単結晶膜の形成には有効であることが分かった．γ’相の単結晶膜は，–75×10–6の大きな負のλ100と+220×10–6の大きな正のλ111を示した．本研究により，γ’-Fe4N相はレアメタルフリー磁歪材料の有力候補のひとつであることが明らかになった． |
| （英） | Fe-N thin films are prepared on MgO single-crystal substrates by reactive sputtering. The influence of substrate temperature on the γ'-Fe4N phase formation is investigated. Furthermore, the magnetostriction coefficients, λ100 and λ111, of γ' phase are experimentally determined. A poly-crystalline film composed of γ' and α" phases is formed when the substrate temperature is RT. The film prepared at 200 °C involves γ' epitaxial crystal in addition to γ' poly-crystal, whereas that prepared at 400 °C consists of only γ' single-crystal. However when the substrate temperature increases up to 600 °C, a single-crystal film composed of α phase is formed. A moderate substrate temperature of about 400 °C is effective in the formation of γ' single-crystal film. The γ' single-crystal film shows a large positive λ100 value of –75×10–6 and a large negative λ111 value of +220×10–6. The present study has shown that γ'-Fe4N phase is one of the strong candidates for future rare-metal free magnetostrictive materials. | |
| キーワード | （和） | γ'-Fe4N相 / 単結晶薄膜 / 巨大磁歪 / / / / / |
| （英） | γ'-Fe4N phase / Single-Crystal Thin Film / Large Magnetostriction / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 193, MRIS2021-7, pp. 6-10, 2021年10月. | |
| 資料番号 | MRIS2021-7 | |
| 発行日 | 2021-10-01 (MRIS) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MRIS2021-7 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MRIS ITE-MMS |
| 開催期間 | 2021-10-08 - 2021-10-08 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | ヘッド，スピントロニクス，固体メモリ, 媒体, 一般 |
| テーマ（英） | Recording Head, Spintronics, Solid State Memory, Media, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MRIS |
| 会議コード | 2021-10-MRIS-MMS |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Fe-N薄膜におけるγ'相の形成と磁歪 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | γ' Phase Formation and Magnetostriction in Fe-N Thin Films |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | γ'-Fe4N相 / γ'-Fe4N phase |
| キーワード(2)（和/英） | 単結晶薄膜 / Single-Crystal Thin Film |
| キーワード(3)（和/英） | 巨大磁歪 / Large Magnetostriction |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 悠良 / Yura Maeda / マエダ ユラ |
| 第1著者 所属（和/英） | 横浜国立大学 (略称： 横浜国大) Yokohama National University (略称： Yokohama Nat. Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今村 光佑 / Kosuke Imamura / イマムラ コウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 横浜国立大学 (略称： 横浜国大) Yokohama National University (略称： Yokohama Nat. Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大竹 充 / Mitsuru Ohtake / オオタケ ミツル |
| 第3著者 所属（和/英） | 横浜国立大学 (略称： 横浜国大) Yokohama National University (略称： Yokohama Nat. Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川井 哲郎 / Tetsuroh Kawai / カワイ テツロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 横浜国立大学 (略称： 横浜国大) Yokohama National University (略称： Yokohama Nat. Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 二本 正昭 / Masaaki Futamoto / フタモト マサアキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 横浜国立大学 (略称： 横浜国大) Yokohama National University (略称： Yokohama Nat. Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 桐野 文良 / Fumiyoshi Kirino / キリノ フミヨシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京藝術大学 (略称： 東京藝術大) Tokyo University of the Arts (略称： Tokyo Univ. Arts) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 稲葉 信幸 / Nobuyuki Inaba / イナバ ノブユキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 山形大学 (略称： 山形大) Yamagata University (略称： Yamagata Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
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| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2021-10-08 13:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MRIS |
| 資料番号 | MRIS2021-7 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.193 |
| ページ範囲 | pp.6-10 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2021-10-01 (MRIS) |
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