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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2021-10-21 16:00 電流計測プラットフォームを応用したSiN膜中トラップ放電電流の統計的計測 ○齊藤宏河・鈴木勇人・朴 賢雨・黒田理人（東北大）・寺本章伸（広島大）・諏訪智之・須川成利（東北大）  SDM2021-51 |
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| 抄録 | （和） | 本稿では，$10^{-17}$ Aの高精度で絶縁膜に生じる電流を計測可能な電流計測プラットフォームを応用した，SiN膜中トラップ放電電流の統計的計測について報告する．開発した電流計測プラットフォームは，10 μmピッチで形成された384×360 セルの共通読み出し回路部と，その上に簡単なプロセスにより形成する絶縁膜部で構成されている．絶縁膜部の上部電極に電圧を印加することで，各セルの絶縁膜に生じる電流を高速かつ高精度で統計的に計測することができる．今回，我々はplasma-enhanced CVD (PECVD)によって形成したSiN膜のMIMキャパシタにおけるトラップ特性を，Discharge Current Transient Spectroscopy (DCTS)を用いることで統計的に計測した．絶縁膜厚や電極面積の形成条件を変えて作成し，トラップのエネルギー準位と密度の分布を検証した． |
| （英） | A current measurement platform to measure current across dielectrics with a high precision of $10^{-17}$ A applied for statistical measurement of discharge current due to traps in SiN dielectrics are presented. The developed platform consists of a common readout circuit part with 384×360 cells formed at 10 μm pitch and a dielectric part formed on the circuit part by a simple process. By applying a voltage to the top electrode of the dielectric part, a current across dielectrics of each cell can be statistically measured with high speed and high precision. We statistically measured the trap property of SiN films in MIM capacitors formed by plasma-enhanced CVD (PECVD) by Discharge Current Transient Spectroscopy (DCTS). The distributions of energy levels and densities of traps under different formation conditions with dielectric film thicknesses and electrode areas are verified. | |
| キーワード | （和） | キャパシタ / SiN / トラップ / DCTS / 電流計測 / プラットフォーム / / |
| （英） | Capacitor / SiN / Trap / DCTS / Current measurement / Platform / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 212, SDM2021-51, pp. 23-26, 2021年10月. | |
| 資料番号 | SDM2021-51 | |
| 発行日 | 2021-10-14 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2021-51 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2021-10-21 - 2021-10-21 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2021-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 電流計測プラットフォームを応用したSiN膜中トラップ放電電流の統計的計測 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Current Measurement Platform Applied for Statistical Measurement of Discharge Current due to Traps in SiN Dielectrics |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | キャパシタ / Capacitor |
| キーワード(2)（和/英） | SiN / SiN |
| キーワード(3)（和/英） | トラップ / Trap |
| キーワード(4)（和/英） | DCTS / DCTS |
| キーワード(5)（和/英） | 電流計測 / Current measurement |
| キーワード(6)（和/英） | プラットフォーム / Platform |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齊藤 宏河 / Koga Saito / サイトウ コウガ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 勇人 / Hayato Suzuki / スズキ ハヤト |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 朴 賢雨 / Hyeonwoo Park / パク ヒョンウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒田 理人 / Rihito Kuroda / クロダ リヒト |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto / テラモト アキノブ |
| 第5著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 諏訪 智之 / Tomoyuki Suwa / スワ トモユキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa / スガワ シゲトシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2021-10-21 16:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2021-51 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.212 |
| ページ範囲 | pp.23-26 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2021-10-14 (SDM) |
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