講演抄録/キーワード |
講演名 |
2021-11-25 15:25
c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価 ○李 リヤン・嶋 紘平(東北大)・山中瑞樹(名工大)・小島一信(東北大)・江川孝志(名工大)・上殿明良(筑波大)・石橋章司(産総研)・竹内哲也(名城大)・三好実人(名工大)・秩父重英(東北大) ED2021-24 CPM2021-58 LQE2021-36 |
抄録 |
(和) |
Al1-xInxNは、禁制帯幅 (Eg) 波長を深紫外線から赤外線まで変化させられる直接遷移型半導体混晶であり光・電子デバイスへの応用が期待できる。特に、In1-xGaxNほど顕著ではないが非輻射性の欠陥濃度が高くてもバンド端発光を呈することが報告されており、その発光メカニズムを明らかにすれば他の材料に適用できる可能性もあり、意義は大きい。本稿では、サファイヤおよびGaN基板上に成長させたAl0.83In0.17N / GaN格子整合系ヘテロ構造の時間分解フォトルミネッセンス及び空間分解カソードルミネッセンス測定結果を示し、Al0.83In0.17Nの発光メカニズムについて議論する。Al0.83In0.17N薄膜の3.7 eV発光帯の室温発光寿命は従来の約2倍(70 ps)であり、非輻射再結合中心濃度が従来の約半分に抑えられていると考えられる。少数キャリア(正孔)の拡散長がほぼゼロであったこと、発光強度の減衰が拡張指数関数により近似できることなどから、不純物や空孔複合体等の点欠陥サイズの状態ないしは数十ナノメートル以下の局在状態が発光起源であると考えられる。 |
(英) |
Room-temperature (RT) time-resolved photoluminescence (PL) and spatially resolved cathodoluminescence (CL) measurements were carried out on approximately 300-nm-thick c-plane Al1-xInxN epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy. The recorded PL lifetimes for the 3.7 eV emission band were about 70 ps, which were twice as long as those reported previously. The result indicates half concentration of nonradiative recombination centers. From the results of spatially resolved CL, nearly zero minority carrier diffusion length was revealed. As the PL decay curves were sufficiently fitted by the stretched exponential function, the origins of 3.7 eV emission band are assigned as extended states such as point defects, impurities, and their complexes, as well as localized states of uneven potential profile. |
キーワード |
(和) |
AlInN / 局在状態 / 時間分解フォトルミネッセンス / 空間分解カソードルミネッセンス / / / / |
(英) |
AlInN / Localized states / Time-resolved photoluminescence / Spatially resolved cathodoluminescence / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 121, no. 261, LQE2021-36, pp. 45-50, 2021年11月. |
資料番号 |
LQE2021-36 |
発行日 |
2021-11-18 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2021-24 CPM2021-58 LQE2021-36 |
研究会情報 |
研究会 |
ED CPM LQE |
開催期間 |
2021-11-25 - 2021-11-26 |
開催地(和) |
オンライン開催 |
開催地(英) |
Online |
テーマ(和) |
窒化物半導体光、電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
LQE |
会議コード |
2021-11-ED-CPM-LQE |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Optical characterization of c-plane Al0.83In0.17N/GaN lattice-matched heterostructures |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
AlInN / AlInN |
キーワード(2)(和/英) |
局在状態 / Localized states |
キーワード(3)(和/英) |
時間分解フォトルミネッセンス / Time-resolved photoluminescence |
キーワード(4)(和/英) |
空間分解カソードルミネッセンス / Spatially resolved cathodoluminescence |
キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
李 リヤン / Liyang Li / リ リヤン |
第1著者 所属(和/英) |
東北大学多元物質科学研究所 (略称: 東北大)
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku Univeristy (略称: Tohoku Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
嶋 紘平 / Kohei Shima / シマ コウヘイ |
第2著者 所属(和/英) |
東北大学多元物質科学研究所 (略称: 東北大)
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku Univeristy (略称: Tohoku Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
山中 瑞樹 / Mizuki Yamanaka / ヤマナカ ミズキ |
第3著者 所属(和/英) |
名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. Tech.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
小島 一信 / Kazunobu Kojima / コジマ カズノブ |
第4著者 所属(和/英) |
東北大学多元物質科学研究所 (略称: 東北大)
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku Univeristy (略称: Tohoku Univ.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
第5著者 所属(和/英) |
名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. Tech.) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
上殿 明良 / Akira Uedono / ウエドノ アキラ |
第6著者 所属(和/英) |
筑波大学 数理物質系物理工学域 (略称: 筑波大)
Faculty of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba (略称: Univ. of Tsukuba) |
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
石橋 章司 / Ishibashi Shoji / イシバシ ショウジ |
第7著者 所属(和/英) |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST) |
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi / タケウチ テツヤ |
第8著者 所属(和/英) |
名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.) |
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
三好 実人 / Makoto Miyoshi / ミヨシ マコト |
第9著者 所属(和/英) |
名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. Tech.) |
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
秩父 重英 / Shigefusa Chichibu / チチブ シゲフサ |
第10著者 所属(和/英) |
東北大学多元物質科学研究所 (略称: 東北大)
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku Univeristy (略称: Tohoku Univ.) |
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2021-11-25 15:25:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
LQE |
資料番号 |
ED2021-24, CPM2021-58, LQE2021-36 |
巻番号(vol) |
vol.121 |
号番号(no) |
no.259(ED), no.260(CPM), no.261(LQE) |
ページ範囲 |
pp.45-50 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2021-11-18 (ED, CPM, LQE) |