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講演抄録/キーワード
講演名 2021-11-25 15:25
c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価
李 リヤン嶋 紘平東北大)・山中瑞樹名工大)・小島一信東北大)・江川孝志名工大)・上殿明良筑波大)・石橋章司産総研)・竹内哲也名城大)・三好実人名工大)・秩父重英東北大ED2021-24 CPM2021-58 LQE2021-36 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2021-24 CPM2021-58 LQE2021-36
抄録 (和) Al1-xInxNは、禁制帯幅 (Eg) 波長を深紫外線から赤外線まで変化させられる直接遷移型半導体混晶であり光・電子デバイスへの応用が期待できる。特に、In1-xGaxNほど顕著ではないが非輻射性の欠陥濃度が高くてもバンド端発光を呈することが報告されており、その発光メカニズムを明らかにすれば他の材料に適用できる可能性もあり、意義は大きい。本稿では、サファイヤおよびGaN基板上に成長させたAl0.83In0.17N / GaN格子整合系ヘテロ構造の時間分解フォトルミネッセンス及び空間分解カソードルミネッセンス測定結果を示し、Al0.83In0.17Nの発光メカニズムについて議論する。Al0.83In0.17N薄膜の3.7 eV発光帯の室温発光寿命は従来の約2倍(70 ps)であり、非輻射再結合中心濃度が従来の約半分に抑えられていると考えられる。少数キャリア(正孔)の拡散長がほぼゼロであったこと、発光強度の減衰が拡張指数関数により近似できることなどから、不純物や空孔複合体等の点欠陥サイズの状態ないしは数十ナノメートル以下の局在状態が発光起源であると考えられる。 
(英) Room-temperature (RT) time-resolved photoluminescence (PL) and spatially resolved cathodoluminescence (CL) measurements were carried out on approximately 300-nm-thick c-plane Al1-xInxN epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy. The recorded PL lifetimes for the 3.7 eV emission band were about 70 ps, which were twice as long as those reported previously. The result indicates half concentration of nonradiative recombination centers. From the results of spatially resolved CL, nearly zero minority carrier diffusion length was revealed. As the PL decay curves were sufficiently fitted by the stretched exponential function, the origins of 3.7 eV emission band are assigned as extended states such as point defects, impurities, and their complexes, as well as localized states of uneven potential profile.
キーワード (和) AlInN / 局在状態 / 時間分解フォトルミネッセンス / 空間分解カソードルミネッセンス / / / /  
(英) AlInN / Localized states / Time-resolved photoluminescence / Spatially resolved cathodoluminescence / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 121, no. 261, LQE2021-36, pp. 45-50, 2021年11月.
資料番号 LQE2021-36 
発行日 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2021-24 CPM2021-58 LQE2021-36 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2021-24 CPM2021-58 LQE2021-36

研究会情報
研究会 ED CPM LQE  
開催期間 2021-11-25 - 2021-11-26 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) 窒化物半導体光、電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2021-11-ED-CPM-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Optical characterization of c-plane Al0.83In0.17N/GaN lattice-matched heterostructures 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) AlInN / AlInN  
キーワード(2)(和/英) 局在状態 / Localized states  
キーワード(3)(和/英) 時間分解フォトルミネッセンス / Time-resolved photoluminescence  
キーワード(4)(和/英) 空間分解カソードルミネッセンス / Spatially resolved cathodoluminescence  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 李 リヤン / Liyang Li / リ リヤン
第1著者 所属(和/英) 東北大学多元物質科学研究所 (略称: 東北大)
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku Univeristy (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 嶋 紘平 / Kohei Shima / シマ コウヘイ
第2著者 所属(和/英) 東北大学多元物質科学研究所 (略称: 東北大)
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku Univeristy (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 山中 瑞樹 / Mizuki Yamanaka / ヤマナカ ミズキ
第3著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小島 一信 / Kazunobu Kojima / コジマ カズノブ
第4著者 所属(和/英) 東北大学多元物質科学研究所 (略称: 東北大)
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku Univeristy (略称: Tohoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ
第5著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. Tech.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 上殿 明良 / Akira Uedono / ウエドノ アキラ
第6著者 所属(和/英) 筑波大学 数理物質系物理工学域 (略称: 筑波大)
Faculty of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba (略称: Univ. of Tsukuba)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 石橋 章司 / Ishibashi Shoji / イシバシ ショウジ
第7著者 所属(和/英) 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi / タケウチ テツヤ
第8著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 三好 実人 / Makoto Miyoshi / ミヨシ マコト
第9著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. Tech.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 秩父 重英 / Shigefusa Chichibu / チチブ シゲフサ
第10著者 所属(和/英) 東北大学多元物質科学研究所 (略称: 東北大)
Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku Univeristy (略称: Tohoku Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2021-11-25 15:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 ED2021-24, CPM2021-58, LQE2021-36 
巻番号(vol) vol.121 
号番号(no) no.259(ED), no.260(CPM), no.261(LQE) 
ページ範囲 pp.45-50 
ページ数
発行日 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) 


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