お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2022年6月開催~)
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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 藤代 博記 (東京理科大)
副委員長 葛西 誠也 (北大)
幹事 小谷 淳二 (富士通研), 堤 卓也 (NTT)
幹事補佐 磯野 僚多 (サイオクス), 山本 佳嗣 (三菱電機)

電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 中村 雄一 (豊橋技科大)
副委員長 中澤 日出樹 (弘前大)
幹事 寺迫 智昭 (愛媛大), 武山 真弓 (北見工大)
幹事補佐 木村 康男 (東京工科大), 廣瀬 文彦 (山形大), 番場 教子 (信州大)

レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) [schedule] [select]
専門委員長 梅沢 俊匡 (NICT)
副委員長 高原 淳一 (阪大)
幹事 瀬川 徹 (NTT), 藤田 和上 (浜松ホトニクス)
幹事補佐 田中 信介 (富士通), 西山 伸彦 (東工大)

日時 2021年11月25日(木) 10:00 - 17:20
2021年11月26日(金) 13:00 - 17:20
議題 窒化物半導体光、電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 
会場名 オンライン開催 
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(ED研究会, CPM研究会, LQE研究会)についてはこちらをご覧ください.

11月25日(木) 午前 
座長: 寺迫 智昭 (愛媛大学)
10:00 - 11:45
(1) 10:00-10:05 開会挨拶
(2) 10:05-10:30 化学溶液析出法によるITO/ガラス基板上へのCu<sub>2</sub>O薄膜成長 ED2021-15 CPM2021-49 LQE2021-27 神本泰州大本拓馬寺迫智昭愛媛大
(3) 10:30-10:55 ZnGa<sub>2</sub>O<sub>4</sub>ナノ構造の気相‐液相‐固相成長と構造およびフォトルミネッセンス特性 ED2021-16 CPM2021-50 LQE2021-28 寺迫智昭米田岳司愛媛大)・高橋尚大矢木正和香川高専
(4) 10:55-11:20 発光分光によるCuハライド薄膜の欠陥の検討 ED2021-17 CPM2021-51 LQE2021-29 藤島 睦田中久仁彦渡辺海斗辻本直也長岡技科大
(5) 11:20-11:45 PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/ZnO:Gaヘテロ接合のUV光検出特性への熱処理の影響 ED2021-18 CPM2021-52 LQE2021-30 小林航平寺迫智昭愛媛大)・矢木正和香川高専)・古林 寛山本哲也高知工科大
  11:45-13:00 休憩 ( 75分 )
11月25日(木) 午後  セッション1
座長: 平山 秀樹 (理化学研究所)
13:00 - 14:35
(1) 13:00-13:05 2020年度 LQE奨励賞授与式
(2) 13:05-13:30 [奨励講演]ナノワイヤ発光デバイスの埋め込み成長条件最適化および発光特性 ED2021-19 CPM2021-53 LQE2021-31 宮本義也曽根直樹奥田廉士Weifang Lu伊藤和真山村志織神野幸美中山奈々美勝呂紗衣上山 智竹内哲也岩谷素顕名城大
(3) 13:30-13:55 顕微光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率のIn組成依存性測定 ED2021-20 CPM2021-54 LQE2021-32 森 恵人高橋佑知森本悠也山口敦史金沢工大
(4) 13:55-14:20 Ⅲ族窒化物半導体のレーザ構造における導波路損失の測定 ED2021-21 CPM2021-55 LQE2021-33 小笠原健太金沢工大)・坂井繁太奥村忠嗣難波江宏一ウシオ電機)・山口敦史金沢工大
  14:20-14:35 休憩 ( 15分 )
11月25日(木)   セッション2
座長: 川口 真生 (パナソニック)
14:35 - 16:05
(5) 14:35-15:00 ハイドライド気相成長法によってホモエピ成長された高純度GaN膜のフォトルミネッセンス評価 ED2021-22 CPM2021-56 LQE2021-34 今城大渡山肥田 涼金森弘尚渡邊龍一金沢工大)・木村健司今野泰一郎藤倉序章サイオクス)・山口敦史金沢工大
(6) 15:00-15:25 InGaN量子井戸におけるPLスペクトル温度変化の理論モデル解析 ED2021-23 CPM2021-57 LQE2021-35 袴田舜也藤田貴志渡邊龍一山口敦史金沢工大
(7) 15:25-15:50 c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価 ED2021-24 CPM2021-58 LQE2021-36 李 リヤン嶋 紘平東北大)・山中瑞樹名工大)・小島一信東北大)・江川孝志名工大)・上殿明良筑波大)・石橋章司産総研)・竹内哲也名城大)・三好実人名工大)・秩父重英東北大
  15:50-16:05 休憩 ( 15分 )
11月25日(木)   セッション3
座長: 熊谷 直人 (産業技術総合研究所)
16:05 - 17:20
(8) 16:05-16:30 r面サファイア基板上への高温アニールa面AlN膜作製における基板オフ角依存性 ED2021-25 CPM2021-59 LQE2021-37 渋谷康太上杉謙次郎肖 世玉正直花奈子窪谷茂幸秋山 亨三宅秀人三重大
(9) 16:30-16:55 高温アニールAlNテンプレートを用いた220 nm帯発光AlGaN量子井戸の成長 ED2021-26 CPM2021-60 LQE2021-38 石原頌也窪谷茂幸正直花奈子上杉謙次郎肖 世玉三宅秀人三重大
(10) 16:55-17:20 光無線給電システムに向けたGaInN系受光素子の単色光照射下でのPV性能評価 ED2021-27 CPM2021-61 LQE2021-39 中林泰希山本皓介Pradip Dalapati江川孝志三好実人名工大
11月26日(金) 午後 
座長: 山本 佳嗣(三菱電機)/久保 俊晴(名古屋工業大学)
13:00 - 17:20
(11) 13:00-13:25 表面処理の異なるAu/Ni/n-GaNショットキー電極の界面顕微光応答法による評価 ED2021-28 CPM2021-62 LQE2021-40 塩島謙次福井大)・田中 亮高島信也上野勝典江戸雅晴富士電機
(12) 13:25-13:50 界面顕微光応答法によるSiC、GaN、α-Ga₂O₃ショットキー接触の面内均一性評価 ED2021-29 CPM2021-63 LQE2021-41 川角優斗福井大)・堀切文正福原 昇サイオクス)・三島友義法政大)・四戸 孝FLOSFIA)・塩島謙次福井大
(13) 13:50-14:15 Interface charge engineering in normally-off AlTiO/AlGaN/GaN field-effect transistors ED2021-30 CPM2021-64 LQE2021-42 Duong Dai NguyenTakehiro IsodaYuchen DengToshi-kazu SuzukiJAIST
  14:15-14:30 休憩 ( 15分 )
(14) 14:30-14:55 ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価 ED2021-31 CPM2021-65 LQE2021-43 戸田圭太郎久保俊晴江川孝志名工大
(15) 14:55-15:20 AlN/AlGaInNバリアを備えた高耐圧Al0.36Ga0.64NチャネルHFET ED2021-32 CPM2021-66 LQE2021-44 井上暁喜田中さくら江川孝志三好実人名工大
(16) 15:20-15:45 AlNテンプレート上へのAlGaNチャネルHEMT作製と電気的特性評価 ED2021-33 CPM2021-67 LQE2021-45 森 隆一上杉謙次郎窪谷茂幸正直花奈子三宅秀人三重大
  15:45-16:00 休憩 ( 15分 )
(17) 16:00-16:25 低損傷コンタクトレス光電気化学エッチングを利用したリセスゲート AlGaN/GaN HEMTs の作製 ED2021-34 CPM2021-68 LQE2021-46 渡久地政周三輪和希北大)・堀切文正福原 昇成田好伸市川 磨磯野僚多田中丈士サイオクス)・佐藤威友北大
(18) 16:25-16:50 光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaN HFETの作製 ED2021-35 CPM2021-69 LQE2021-47 伊藤滉朔小松祐斗渡久地政周北大)・井上暁喜田中さくら三好実人名工大)・佐藤威友北大
(19) 16:50-17:15 完全空乏したAlGaN/GaNエピタキシャル層を用いたプレーナ型EID-MOS-HEMTのノーマリオフ動作実証 ED2021-36 CPM2021-70 LQE2021-48 南條拓真今澤貴史清井 明林田哲郎綿引達郎三浦成久三菱電機
(20) 17:15-17:20 閉会挨拶

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 大石 敏之(佐賀大学)
TEL : 0952-28-8642
E- :oi104cc-u
岩田 達哉(富山県立大学)
TEL: 0766-56-7500
E-: t_ipu- 
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先  
LQE レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)   [今後の予定はこちら]
問合先 瀬川 徹(日本電信電話(株))
TEL 046-240-2251
E-: hco 
お知らせ ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/welcome.html
◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。


Last modified: 2021-11-12 09:18:26


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