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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2021-11-26 13:25 界面顕微光応答法によるSiC、GaN、α-Ga₂O₃ショットキー接触の面内均一性評価 ○川角優斗（福井大）・堀切文正・福原 昇（サイオクス）・三島友義（法政大）・四戸 孝（FLOSFIA）・塩島謙次（福井大）  ED2021-29 CPM2021-63 LQE2021-41 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2021-29 CPM2021-63 LQE2021-41 |
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| 抄録 | （和） | 界面顕微光応答法(SIPM)を用いて，Ni/SiC，Ni/GaN，Cu/Ti/α-Ga2O3ショットキー接触の電極面内における均一性を評価した．はじめに，装置の安定性を評価するためにレーザー光を走査せずにSIPM測定を行い，ショットキー障壁高さ(qφB)のエネルギー分解能が0.2 meV以下であることを明らかにした．次に，上記3種のショットキー接触の電極面内でレーザーを走査してSIPM測定を行った．1つの電極(直径200 ～ 400 μm)内のqφBの標準偏差はそれぞれ0.84，3.22，5.11 meVであることを測定した．本SIPM装置が3つのワイドバンドギャップ半導体におけるショットキー接触の均一性評価に十分な精度を有することも実証した． |
| （英） | Uniformity characterization of Ni/SiC, Ni/GaN, and Cu/Ti/$alpha$-Ga2O3 Schottky contacts was performed by scanning internal photoemission microscopy (SIPM). First, we performed SIPM measurement without scanning a laser beam to characterize stability of this measurement system, and revealed the energy resolution of Schottky barrier height (q$phi$B) was less than 0.2 meV. Then, SIPM measurement was performed by scanning a laser beam in the electrodes of three kinds of Schottky contacts. Standard deviations of q$phi$B were 0.84, 3.22, and 5.11 meV, respectively. These values were more than four times larger than that in the fix-pointed measurement. Therefore, we demonstrated that this measurement has sufficient accuracy to characterize the uniformity of these Schottky contacts. In addition, we found that these Schottky contacts exhibit a standard deviation of q$phi$B below 10 meV. | |
| キーワード | （和） | ショットキー接触 / SiC / GaN / α-Ga2O3 / 界面顕微光応答法 / / / |
| （英） | Schottky contacts / SiC / GaN / α-Ga2O3 / scanning internal photoemission microscopy / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 259, ED2021-29, pp. 67-70, 2021年11月. | |
| 資料番号 | ED2021-29 | |
| 発行日 | 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2021-29 CPM2021-63 LQE2021-41 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2021-29 CPM2021-63 LQE2021-41 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM LQE |
| 開催期間 | 2021-11-25 - 2021-11-26 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光、電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2021-11-ED-CPM-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 界面顕微光応答法によるSiC、GaN、α-Ga₂O₃ショットキー接触の面内均一性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Uniformity characterization of SiC, GaN, α-Ga₂O₃ Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ショットキー接触 / Schottky contacts |
| キーワード(2)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | α-Ga2O3 / α-Ga2O3 |
| キーワード(5)（和/英） | 界面顕微光応答法 / scanning internal photoemission microscopy |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川角 優斗 / Yuto Kawasumi / カワスミ ユウト |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学大学院工学研究科 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀切 文正 / Fumimasa Horikiri / ホリキリ フミマサ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社サイオクス (略称： サイオクス) SCIOCS Co. (略称： SCIOCS Co.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福原 昇 / Noboru Fukuhara / フクハラ ノボル |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社サイオクス (略称： サイオクス) SCIOCS Co. (略称： SCIOCS Co.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三島 友義 / Tomoyoshi Mishima / ミシマ トモヨシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 法政大学 (略称： 法政大) Hosei University (略称： Hosei Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 四戸 孝 / Takashi Shinohe / シノヘ タカシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社FLOSFIA (略称： FLOSFIA) FLOSFIA INC. (略称： FLOSFIA INC.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima / シオジマ ケンジ |
| 第6著者 所属（和/英） | 福井大学大学院工学研究科 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2021-11-26 13:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2021-29, CPM2021-63, LQE2021-41 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.259(ED), no.260(CPM), no.261(LQE) |
| ページ範囲 | pp.67-70 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) |
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