講演抄録/キーワード |
講演名 |
2021-11-26 16:50
完全空乏したAlGaN/GaNエピタキシャル層を用いたプレーナ型EID-MOS-HEMTのノーマリオフ動作実証 ○南條拓真・今澤貴史・清井 明・林田哲郎・綿引達郎・三浦成久(三菱電機) ED2021-36 CPM2021-70 LQE2021-48 |
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キーワード |
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文献情報 |
信学技報, vol. 121, no. 259, ED2021-36, pp. 95-98, 2021年11月. |
資料番号 |
ED2021-36 |
発行日 |
2021-11-18 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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