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講演抄録/キーワード
講演名 2021-11-26 16:50
完全空乏したAlGaN/GaNエピタキシャル層を用いたプレーナ型EID-MOS-HEMTのノーマリオフ動作実証
南條拓真今澤貴史清井 明林田哲郎綿引達郎三浦成久三菱電機ED2021-36 CPM2021-70 LQE2021-48
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 121, no. 259, ED2021-36, pp. 95-98, 2021年11月.
資料番号 ED2021-36 
発行日 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2021-36 CPM2021-70 LQE2021-48

研究会情報
研究会 ED CPM LQE  
開催期間 2021-11-25 - 2021-11-26 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) 窒化物半導体光、電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2021-11-ED-CPM-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 完全空乏したAlGaN/GaNエピタキシャル層を用いたプレーナ型EID-MOS-HEMTのノーマリオフ動作実証 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Demonstration of E-mode operation in planar type EID-MOS-HEMT with normally depleted AlGaN/GaN epitaxial layer 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 南條 拓真 / Takuma Nanjo / ナンジョウ タクマ
第1著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 今澤 貴史 / Takashi Imazawa / イマザワ タカシ
第2著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 清井 明 / Akira Kiyoi / キヨイ アキラ
第3著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 林田 哲郎 / Tetsuro Hayashida / ハヤシダ テツロウ
第4著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 綿引 達郎 / Tatsuro Watahiki / ワタヒキ タツロウ
第5著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 三浦 成久 / Naruhisa Miura / ミウラ ナルヒサ
第6著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric Corp.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2021-11-26 16:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2021-36, CPM2021-70, LQE2021-48 
巻番号(vol) vol.121 
号番号(no) no.259(ED), no.260(CPM), no.261(LQE) 
ページ範囲 pp.95-98 
ページ数
発行日 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) 


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