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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2021-11-26 14:55 AlN/AlGaInNバリアを備えた高耐圧Al0.36Ga0.64NチャネルHFET ○井上暁喜・田中さくら・江川孝志・三好実人（名工大）  ED2021-32 CPM2021-66 LQE2021-44 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では、AlNおよび四元混晶AlGaInNバリア層を備えたAl0.36Ga0.64Nチャネルヘテロ電界効果トランジスタ（HFET）を作製し、その特性評価を行った。このHFETでは、オーミックコンタクトとして再成長n++-GaN層を採用した。ゲート長が2 µm及びゲート-ドレイン間距離が6 µmのHFETでは、ON状態でのドレイン電流密度が約270 mA/mm、OFF状態での絶縁破壊電圧が約1 kV(絶縁破壊電界は約166 V/μmに相当)と優れた特性を示した。さらに、AlN/AlGaInNバリア層を備えたHFETは、再表層にAlNを備えていないHFETに比べて約1桁小さいゲートリーク電流を示すことが確認された。このことから、AlN/AlGaInNバリア層は、高AlNモル分率のAlGaNチャネルHFETにおいてゲートリーク電流の抑制とOFF状態の特性の安定化に効果的であると考えられる。 |
| （英） | In this study, we fabricated and characterized heterojunction field-effect transistors (HFETs) based on an Al0.36Ga0.64N-channel heterostructure with a dual AlN/AlGaInN barrier layer. The device fabrication was accomplished by adopting a regrown n++-GaN layer for ohmic contacts. The fabricated HFETs with a gate length of 2 μm and a gate-to-drain distance of 6 μm exhibited an on-state drain current density as high as approximately 270 mA/mm and an off-state breakdown voltage of approximately 1 kV, which corresponds to an off-state critical electric field of 166 V/μm. It was also confirmed that the devices adopting the dual AlN/AlGaInN barrier layer showed approximately one order of magnitude smaller gate leakage currents than those for devices without the top AlN barrier layer. From this, we understand that dual AlN/AlGaInN barrier layers are effective to suppress gate leakage currents and stabilize off-state characteristics for high-AlN-mole-fraction AlGaN-channel HFETs. | |
| キーワード | （和） | Ⅲ族窒化物 / AlGaN / HFET / GaNチャネルHEMT / 高絶縁破壊電圧 / / / |
| （英） | Group-III nitrides / AlGaN / HFET / GaN-channel HEMT / High breakdown voltage / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 259, ED2021-32, pp. 79-82, 2021年11月. | |
| 資料番号 | ED2021-32 | |
| 発行日 | 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2021-32 CPM2021-66 LQE2021-44 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM LQE |
| 開催期間 | 2021-11-25 - 2021-11-26 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光、電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2021-11-ED-CPM-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlN/AlGaInNバリアを備えた高耐圧Al0.36Ga0.64NチャネルHFET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-breakdown-voltage Al0.36Ga0.64N-channel HFETs with a dual AlN/AlGaInN barrier layer |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ⅲ族窒化物 / Group-III nitrides |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | HFET / HFET |
| キーワード(4)（和/英） | GaNチャネルHEMT / GaN-channel HEMT |
| キーワード(5)（和/英） | 高絶縁破壊電圧 / High breakdown voltage |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 暁喜 / Akiyoshi Inoue / イノウエ アキヨシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 さくら / Sakura Tanaka / タナカ サクラ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三好 実人 / Makoto Miyoshi / ミヨシ マコト |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2021-11-26 14:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2021-32, CPM2021-66, LQE2021-44 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.259(ED), no.260(CPM), no.261(LQE) |
| ページ範囲 | pp.79-82 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) |
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