| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2022-01-31 15:30 ［招待講演］CAAC-IGZO FET/Si CMOS微小電流メモリセルによる高演算効率アナログインメモリコンピューティング ○黒川義元・馬場晴之・大下 智・濱田俊樹・安藤善範・方堂涼太・大野敏和・廣瀬貴史・國武廣司・村川 努（半導体エネルギー研）・名倉 徹（福岡大）・小林正治（東大）・吉田 宏・Min-Cheng Chen（PSMC）・Ming-Han Liao（National Taiwan Univ.）・Shou-Zen Chang（PSMC）・山﨑舜平（半導体エネルギー研）  SDM2021-72 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2021-72 |
|
| 抄録 | （和） | CAAC-IGZO FET/Si CMOSモノリシック積層プロセスにより高演算効率のアナログインメモリコンピューティング (AiMC) チップを試作した。本AiMCチップは、極低リーク電流のCAAC-IGZO FETにより重みデータを保持してSi FETがサブスレッショルド領域で動作するメモリセルをアナログ乗算素子として利用し、< 1nAの微小セル電流で143.9TOPS/Wの演算効率を達成した。 |
| （英） | We have successfully demonstrated high-efficiency analog in-memory computing (AiMC) chips, which are monolithically fabricated with Si CMOS + CAAC-IGZO FETs. The AiMC chips utilize low-leakage CAAC-IGZO FETs that retain the gate voltage of Si CMOS devices to drive them in the subthreshold region and achieve an ultra-low cell current (< 1 nA/cell) and an operation efficiency of 143.9 TOPS/W. | |
| キーワード | （和） | CAAC-IGZO FET/Si CMOS Technology / Analog in-Memory Computing / Oxide Semiconductor / / / / / |
| （英） | CAAC-IGZO FET/Si CMOS Technology / Analog in-Memory Computing / Oxide Semiconductor / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 365, SDM2021-72, pp. 16-19, 2022年1月. | |
| 資料番号 | SDM2021-72 | |
| 発行日 | 2022-01-24 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2021-72 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2021-72 |
|
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]