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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2022-01-31 13:15 ［招待講演］16nm Fin FETプロセス混載STT-MRAM における72％の書込みエネルギー低減を達成したセルフターミネーション書込み方式 ○斉藤朋也・伊藤 孝・帯刀恭彦・園田賢一郎・渡辺源太・松原 謙・神田明彦・下井貴裕・武田晃一・河野隆司（ルネサス エレクトロニクス）  SDM2021-68 |
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| 抄録 | （和） | 16nm FinFETロジックプロセス混載の20Mb STT-MRAMアレイを搭載したTEGチップを用いて、低エネルギー書込み技術とその測定結果に関して報告する。STT-MRAMセルのP書込み/AP書込み特性に従って、スロープ電圧および電流書込みパルス印加を適用したセルフターミネーション書込み方式と可変並列ビット書込み方式を開発し、72%の書込みエネルギー削減と50%のトータル書込みパルス時間削減を実証した。 |
| （英） | We present the low energy write techniques and measurement results of a 20Mb embedded STT-MRAM test chip in 16nm FinFET logic process. Self-termination write schemes with slope write voltage and current pulse and variable parallel bit write sequence are proposed to reduce total write energy consumption by terminating write pulse adaptively according to the characteristics of each STT-MRAM cell and achieves 72% write energy reduction and 50% total write pulse time reduction. | |
| キーワード | （和） | STT-MRAM / 16nm / ロジックプロセス混載 / 低電力書込み / セルフターミネーション書込み / / / |
| （英） | STT-MRAM / 16nm / embedded / Low power write / Self-termination Write / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 365, SDM2021-68, pp. 1-4, 2022年1月. | |
| 資料番号 | SDM2021-68 | |
| 発行日 | 2022-01-24 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2021-68 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2022-01-31 - 2022-01-31 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2022-01-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 16nm Fin FETプロセス混載STT-MRAM における72％の書込みエネルギー低減を達成したセルフターミネーション書込み方式 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | **** |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | STT-MRAM / STT-MRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 16nm / 16nm |
| キーワード(3)（和/英） | ロジックプロセス混載 / embedded |
| キーワード(4)（和/英） | 低電力書込み / Low power write |
| キーワード(5)（和/英） | セルフターミネーション書込み / Self-termination Write |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 斉藤 朋也 / Tomoya Saito / サイトウ トモヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 孝 / Takashi Ito / イトウ タカシ |
| 第2著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 帯刀 恭彦 / Yasuhiko Taito / タイトウ ヤスヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 園田 賢一郎 / Kenichiro Sonoda / ソノダ ケンイチロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡辺 源太 / Genta Watanabe / ワタナベ ゲンタ |
| 第5著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松原 謙 / Ken Matsubara / マツバラ ケン |
| 第6著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 神田 明彦 / Akihiko Kanda / カンダ アキヒコ |
| 第7著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 下井 貴裕 / Takahiro Shimoi / シモイ タカヒロ |
| 第8著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武田 晃一 / Koichi Takeda / タケダ コウイチ |
| 第9著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河野 隆司 / Takashi Kono / コウノ タカシ |
| 第10著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2022-01-31 13:15:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2021-68 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.365 |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-01-24 (SDM) |
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