講演抄録/キーワード |
講演名 |
2022-02-04 09:45
[招待講演]SAMを用いた次世代ダマシンインテグレーション ○永井洋之・岩下光秋・菊地裕樹(東京エレクトロン)・河崎洋章・ギアナ パッタナイク(TEL Technology Center, America)・藤田啓一(東京エレクトロン九州)・岩井和俊(Tokyo Electron America)・小松裕之・尾崎優貴(JSR) SDM2021-75 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2021-75 |
抄録 |
(和) |
SAMを用いてCu拡散バリアを絶縁膜上へ選択的に成膜し、Cuダマシン配線を形成した。この構造ではVia底バリアメタルが無いためにVia抵抗の低減が期待できる。本研究では選択的なALDバリア成膜を可能にするSAMの評価並びにそのSAMとELD Cuを組み合わせたCuダマシンインテグレーション技術を紹介する。 |
(英) |
Selective deposition of Cu diffusion barrier metal layer on dielectric with Self-Assembled Monolayer (SAM) has been demonstrated. Via resistance is expected to decrease by eliminating the barrier at via bottom in dual- and semi-damascene structure. In this study, we report the evaluation of SAMs to enable selective ALD-barrier metal deposition and, as an example, we show Cu via prefill integration using ELD-Cu with no barrier / liner at via bottom and no seam void for metal filling. |
キーワード |
(和) |
選択成膜 / / / / / / / |
(英) |
SAM / Prefill / ELD-Cu / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 121, no. 366, SDM2021-75, pp. 5-8, 2022年2月. |
資料番号 |
SDM2021-75 |
発行日 |
2022-01-28 (SDM) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2021-75 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2021-75 |
研究会情報 |
研究会 |
SDM |
開催期間 |
2022-02-04 - 2022-02-04 |
開催地(和) |
オンライン開催 |
開催地(英) |
Online |
テーマ(和) |
配線・実装技術と関連材料技術 |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2022-02-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
SAMを用いた次世代ダマシンインテグレーション |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Advanced Damascene Integration with Self Assembled Monolayer (SAM) |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
選択成膜 / SAM |
キーワード(2)(和/英) |
/ Prefill |
キーワード(3)(和/英) |
/ ELD-Cu |
キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
永井 洋之 / Hiroyuki Nagai / ナガイ ヒロユキ |
第1著者 所属(和/英) |
東京エレクトロン (略称: 東京エレクトロン)
Tokyo Electron Limited (略称: TEL) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
岩下 光秋 / Mitsuaki Iwashita / イワシタ ミツアキ |
第2著者 所属(和/英) |
東京エレクトロン (略称: 東京エレクトロン)
Tokyo Electron Limited (略称: TEL) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
菊地 裕樹 / Yuki Kikuchi / キクチ ユウキ |
第3著者 所属(和/英) |
東京エレクトロン (略称: 東京エレクトロン)
Tokyo Electron Limited (略称: TEL) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
河崎 洋章 / Kawasaki Hiroaki / カワサキ ヒロアキ |
第4著者 所属(和/英) |
TEL Technology Center, America, LLC (略称: TEL Technology Center, America)
TEL Technology Center, America, LLC (略称: TTCA) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
ギアナ パッタナイク / Gyana Pattanaik / ギアナ パッタナイク |
第5著者 所属(和/英) |
TEL Technology Center, America, LLC (略称: TEL Technology Center, America)
TEL Technology Center, America, LLC (略称: TTCA) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
藤田 啓一 / Keiichi Fujita / フジタ ケイイチ |
第6著者 所属(和/英) |
東京エレクトロン九州 (略称: 東京エレクトロン九州)
Tokyo Electron Kyushu Limited (略称: TKL) |
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
岩井 和俊 / Kazutoshi Iwai / イワイ カズトシ |
第7著者 所属(和/英) |
Tokyo Electron America, Inc. (略称: Tokyo Electron America)
Tokyo Electron America, Inc. (略称: TEA) |
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
小松 裕之 / Hiroyuki Komatsu / コマツ ヒロユキ |
第8著者 所属(和/英) |
JSR株式会社 (略称: JSR)
JSR corporation (略称: JSR) |
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
尾崎 優貴 / Yuuki Ozaki / オザキ ユウキ |
第9著者 所属(和/英) |
JSR株式会社 (略称: JSR)
JSR corporation (略称: JSR) |
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 所属(和/英) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 所属(和/英) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 所属(和/英) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 所属(和/英) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2022-02-04 09:45:00 |
発表時間 |
40分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2021-75 |
巻番号(vol) |
vol.121 |
号番号(no) |
no.366 |
ページ範囲 |
pp.5-8 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2022-01-28 (SDM) |