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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2022-03-07 14:30 Approximate Storing機能を備えたMTJベース不揮発性SRAM回路の提案と評価 ○宮内陽里・宇佐美公良（芝浦工大）  VLD2021-86 HWS2021-63 |
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| 抄録 | （和） | 磁気トンネル接合(MTJ：Magnetic Tunnel Junction)素子を利用した不揮発性メモリ(NVM：Non Volatile Memory)は、細粒度電源遮断が可能であるため、近年問題となっているリーク電流の増大を防ぐことができる。しかし、MTJにはストアエネルギーが大きいという問題がある。そのため、本研究では、データのビット列を分割し、正確なストアを必要としない部分でのストア時間を短縮するApproximate Storingを適用することで、低消費エネルギーを実現するNVSRAMを提案する。65nmプロセスを想定し、回路設計を行い、画像データ保存時におけるエネルギー削減量について、回路シミュレーション評価を行って有効性を明らかにした。 |
| （英） | Non-volatile memory (NVM) using magnetic tunnel junction (MTJ) devices can prevent the increase in leakage current, which has become a problem in recent years, because it allows fine-grained power supply interruption. However, MTJ has a problem of large store energy. In this study, we propose an NVSRAM that achieves low energy consumption by applying Approximate Storing, which divides the data bit strings and reduces the store time in the parts that do not require accurate store. The energy reduction during image storage was evaluated by simulation in the 65nm process. | |
| キーワード | （和） | SRAM / パワーゲーティング / MTJ / Approximate Computing / / / / |
| （英） | SRAM / Power-Gating / MTJ / Approximate Computing / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 121, no. 412, VLD2021-86, pp. 51-56, 2022年3月. | |
| 資料番号 | VLD2021-86 | |
| 発行日 | 2022-02-28 (VLD, HWS) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | VLD2021-86 HWS2021-63 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD HWS |
| 開催期間 | 2022-03-07 - 2022-03-08 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | システムオンシリコンを支える設計技術, ハードウェアセキュリティ, 一般 |
| テーマ（英） | Design Technology for System-on-Silicon, Hardware Security, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | VLD |
| 会議コード | 2022-03-VLD-HWS |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Approximate Storing機能を備えたMTJベース不揮発性SRAM回路の提案と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MTJ-based non-volatile SRAM circuit with Approximate Image-data Storing for energy saving |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(2)（和/英） | パワーゲーティング / Power-Gating |
| キーワード(3)（和/英） | MTJ / MTJ |
| キーワード(4)（和/英） | Approximate Computing / Approximate Computing |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮内 陽里 / Hisato Miyauchi / ミヤウチ ヒサト |
| 第1著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura Institute of Technology (略称： SIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宇佐美 公良 / Kimiyoshi Usami / ウサミ キミヨシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 (略称： 芝浦工大) Shibaura Institute of Technology (略称： SIT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2022-03-07 14:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | VLD |
| 資料番号 | VLD2021-86, HWS2021-63 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | no.412(VLD), no.413(HWS) |
| ページ範囲 | pp.51-56 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2022-02-28 (VLD, HWS) |
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