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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2022-04-15 15:15 SiC基板及びGaN基板上に形成されたAlGaN/GaN HEMTの歪特性比較 森脇 淳，○原 信二（名大）  WPT2022-10 MW2022-10 |
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| 抄録 | （和） | 本報告では、GaN HEMT特有の電流コラプスが線形性に与える影響を評価する為の相互変調歪(IMD)測定方法の提案並びに、その実施結果を報告する。AlGaN/GaN HEMTの3次混変調歪(IM3)性能を、SiC基板およびGaN基板、フィールドプレート(FP)有無で比較し、電流コラプス特性と合わせて報告する。GaN基板上のGaN HEMTはSiC基板上のGaN HEMTと比較して欠陥起因の電流コラプスが小さく電力特性向上に加え良好な歪特性が期待され、IM3測定結果は予想と一致した。また、GaN基板上のGaN HEMTのIM3はFP無でもFP有のSiC基板上GaN HEMTと同等であった。 |
| （英） | In this report, we propose a new intermodulation distortion (IMD) measurement method to evaluate the influence of current collapse on the linearity of GaN HEMTs, and compare the third-order intermodulation distortion (IM3) performance of GaN HEMTs between different substrates and with and without field plates (FPs) using this measurement system. GaN HEMTs on GaN substrates are expected to have better linearity in addition to improved power characteristics due to fewer defect-induced current collapses compared to GaN HEMTs on SiC substrates, and the IM3 measurement results are consistent with expectations. The IM3 of GaN HEMTs on GaN substrates without FPs was comparable to that of GaN HEMTs on SiC substrates with FPs. | |
| キーワード | （和） | HEMT / GaN基板 / SiC基板 / 電流コラプス / IMD / / / |
| （英） | HEMT / GaN substrate / SiC substrate / Current collapse / IMD / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 2, MW2022-10, pp. 35-39, 2022年4月. | |
| 資料番号 | MW2022-10 | |
| 発行日 | 2022-04-08 (WPT, MW) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | WPT2022-10 MW2022-10 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW WPT |
| 開催期間 | 2022-04-15 - 2022-04-15 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 電力伝送/マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Wireless Power Transfer, Microwave |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2022-04-MW-WPT |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiC基板及びGaN基板上に形成されたAlGaN/GaN HEMTの歪特性比較 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Distortion characteristics comparison of AlGaN-GaN HEMTs between SiC and GaN Substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | GaN基板 / GaN substrate |
| キーワード(3)（和/英） | SiC基板 / SiC substrate |
| キーワード(4)（和/英） | 電流コラプス / Current collapse |
| キーワード(5)（和/英） | IMD / IMD |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森脇 淳 / Atsushi Moriwaki / モリワキ アツシ |
| 第1著者 所属（和/英） | * (略称： *) * (略称： *) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 信二 / Shinji Hara / ハラ シンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： NU) |
| 講演者 | 第2著者 |
| 発表日時 | 2022-04-15 15:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | WPT2022-10, MW2022-10 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.1(WPT), no.2(MW) |
| ページ範囲 | pp.35-39 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2022-04-08 (WPT, MW) |
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