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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2022-04-23 10:20 非晶質Ge薄膜のMg誘起横方向成長におけるMg拡散量の評価 ○森本敦己・阿部陸斗・平井杏奈・平井杜和・高倉健一郎・角田 功（熊本高専）  SDM2022-10 OME2022-10 |
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| 抄録 | （和） | 近年，IV半導体を低融点絶縁基板上に形成するために金属触媒を用いた金属誘起固相成長法が広く研究されている．しかし，この手法は低温形成と引き換えに結晶への金属混入によるデバイス特性の劣化が生じてしまう．そのため，非晶質半導体中に金属が拡散してもGeと化合物を形成し，デバイス特性の劣化を防ぐ材料であるMgを用い，非晶質Ge薄膜の結晶成長を試みた．その結果，350℃で非晶質Ge薄膜のMg誘起横方向成長が引き起こされること，横方向成長を引き起こすためには35～40%程度のMgをGe薄膜中に混入させる必要があることが分かった．また，Mg誘起横方向成長を促進するため，多段熱処理を試みた処，横方向成長距離が約6倍に拡大することが分かった． |
| （英） | We have investigated low temperature solid phase crystallization of amorphous Ge on insulating substrate. High temperature annealing is necessary to obtain the polycrystalline Ge by conventional solid phase crystallization. In order to enhance the solid phase crystallization, Mg induced lateral crystallization of amorphous Ge on insulating substrate was performed. As a result, amorphous Ge was crystallized around Mg pattern after annealing at 350℃ for 60 min. In addition, it was found that the minimum Mg concentration of about 35 % is required to cause the Mg induced lateral crystallization for amorphous Ge. To enhance the Mg induced lateral crystallization by using two step annealing, Mg induced lateral crystallization length was significantly enhanced (~ 6 times). This enhancement was attributed to the ease of Mg atoms diffusion into amorphous Ge region. | |
| キーワード | （和） | ゲルマニウム / 固相成長 / 金属誘起固相成長 / 拡散濃度 / 多段階熱処理 / / / |
| （英） | Germanium / Solid phase crystallization / Metal induced crystallization / Two-step annealing / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 8, SDM2022-10, pp. 47-50, 2022年4月. | |
| 資料番号 | SDM2022-10 | |
| 発行日 | 2022-04-15 (SDM, OME) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2022-10 OME2022-10 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME SDM |
| 開催期間 | 2022-04-22 - 2022-04-23 |
| 開催地（和） | 高千穂ホール（宮崎市） |
| 開催地（英） | Takachiho Hall |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Thin film devices (Si, compound, organic, flexible), Biotechnology, Materials, Characterization, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2022-04-OME-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 非晶質Ge薄膜のMg誘起横方向成長におけるMg拡散量の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | EDX evaluation of Mg atoms on Mg-induced lateral crystallization of amorphous Ge/SiO2 |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲルマニウム / Germanium |
| キーワード(2)（和/英） | 固相成長 / Solid phase crystallization |
| キーワード(3)（和/英） | 金属誘起固相成長 / Metal induced crystallization |
| キーワード(4)（和/英） | 拡散濃度 / Two-step annealing |
| キーワード(5)（和/英） | 多段階熱処理 / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森本 敦己 / Atsuki Morimoto / モリモト アツキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校 (略称： 熊本高専) National Institute of Technology(KOSEN), Kumamoto College (略称： NIT(KOSEN),Kumamoto College) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 阿部 陸斗 / Rikuto Abe / アベ リクト |
| 第2著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校 (略称： 熊本高専) National Institute of Technology(KOSEN), Kumamoto College (略称： NIT(KOSEN),Kumamoto College) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平井 杏奈 / Anna Hirai / ヒライ アンナ |
| 第3著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校 (略称： 熊本高専) National Institute of Technology(KOSEN), Kumamoto College (略称： NIT(KOSEN),Kumamoto College) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平井 杜和 / Towa Hirai / ヒライ トワ |
| 第4著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校 (略称： 熊本高専) National Institute of Technology(KOSEN), Kumamoto College (略称： NIT(KOSEN),Kumamoto College) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高倉 健一郎 / Kenichiro Takakura / タカクラ ケンイチロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校 (略称： 熊本高専) National Institute of Technology(KOSEN), Kumamoto College (略称： NIT(KOSEN),Kumamoto College) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角田 功 / Isao Tsunoda / ツノダ イサオ |
| 第6著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校 (略称： 熊本高専) National Institute of Technology(KOSEN), Kumamoto College (略称： NIT(KOSEN),Kumamoto College) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2022-04-23 10:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2022-10, OME2022-10 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.8(SDM), no.9(OME) |
| ページ範囲 | pp.47-50 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-04-15 (SDM, OME) |
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