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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2022-05-27 16:15 電気化学反応を利用した窒化ガリウムのウェットエッチングと機能性材料 ○佐藤威友・渡久地政周（北大）  ED2022-13 CPM2022-7 SDM2022-20 |
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| 抄録 | （和） | 電気化学反応を利用したウェットエッチング（電気化学エッチング）により，窒化ガリウム（GaN）多孔質構造を形成した．GaN多孔質層の屈折率は開口率により制御可能であり，その光反射率は開口率に依存して低減した．また，GaN多孔質構造と電解液との界面を利用した光電変換効率は，未加工試料と比較して約40%増大し，基礎吸収端の長波長シフトが観測された．母体材料の高い結晶品質を受け継いだGaN多孔質構造のこれらの特徴は，機能性材料として有用である． |
| （英） | A gallium nitride (GaN) porous structure was formed by wet etching utilizing electrochemical reactions. The refractive index of the GaN porous layer can be controlled by the porosity or aperture ratio, and its optical reflectance decreases depending on that. The incident-photon-to-current conversion efficiency (IPCE) of the interface between the GaN porous structure and the electrolyte increased by about 40% compared to that obtained on the unprocessed sample, and the basic absorption edge of the GaN porous structure was shifted in the long-wavelength direction. These characteristics of the GaN porous structure that has the high crystal quality are useful as a functional material. | |
| キーワード | （和） | 窒化ガリウム / 電気化学エッチング / 多孔質構造 / / / / / |
| （英） | Gallium Nitride / Electrochemical Etching / Porous Structure / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 52, ED2022-13, pp. 25-28, 2022年5月. | |
| 資料番号 | ED2022-13 | |
| 発行日 | 2022-05-20 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2022-13 CPM2022-7 SDM2022-20 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED CPM |
| 開催期間 | 2022-05-27 - 2022-05-27 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 |
| テーマ（英） | Functional Device Materials, Fabrication, Characterization, and Related Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2022-05-SDM-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 電気化学反応を利用した窒化ガリウムのウェットエッチングと機能性材料 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Wet etching of GaN utilizing a photo-electrochemical reaction for functional materials |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ガリウム / Gallium Nitride |
| キーワード(2)（和/英） | 電気化学エッチング / Electrochemical Etching |
| キーワード(3)（和/英） | 多孔質構造 / Porous Structure |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 威友 / Taketomo Sato / サトウ タケトモ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡久地 政周 / Masachika Toguchi / トグチ マサチカ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2022-05-27 16:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2022-13, CPM2022-7, SDM2022-20 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.52(ED), no.53(CPM), no.54(SDM) |
| ページ範囲 | pp.25-28 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-05-20 (ED, CPM, SDM) |
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