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講演抄録/キーワード
講演名 2022-06-21 16:40
[招待講演]WSe2 n/p FETsを用いた低電圧動作CMOSインバータ
川那子高暢松﨑貴広梶川亮介宗田伊理也星井拓也角嶋邦之筒井一生若林 整東工大SDM2022-30
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 122, no. 84, SDM2022-30, pp. 23-26, 2022年6月.
資料番号 SDM2022-30 
発行日 2022-06-14 (SDM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2022-30

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2022-06-21 - 2022-06-21 
開催地(和) 名古屋大学 VBL3F 
開催地(英) Nagoya Univ. VBL3F 
テーマ(和) MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Material Science and Process Technology for MOS Devices, Memories, and Power Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2022-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) WSe2 n/p FETsを用いた低電圧動作CMOSインバータ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Low Voltage Operation of CMOS Inverter based on WSe2 n/p FETs 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 川那子 高暢 / Takamasa Kawanago / カワナゴ タカマサ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 松﨑 貴広 / Takahiro Matsuzaki / マツザキ タカヒロ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 梶川 亮介 / Ryosuke Kajikawa / カジカワ リョウスケ
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 宗田 伊理也 / Iriya Muneta / ムネタ イリヤ
第4著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 星井 拓也 / Takuya Hoshii / ホシイ タクヤ
第5著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 角嶋 邦之 / Kuniyuki Kakushima / カクシマ クニユキ
第6著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 筒井 一生 / Kazuo Tsutsui / ツツイ カズオ
第7著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 若林 整 / Hitoshi Wakabayashi / ワカバヤシ ヒトシ
第8著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
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講演者 第1著者 
発表日時 2022-06-21 16:40:00 
発表時間 40分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2022-30 
巻番号(vol) vol.122 
号番号(no) no.84 
ページ範囲 pp.23-26 
ページ数
発行日 2022-06-14 (SDM) 


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