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講演抄録/キーワード
講演名 2022-08-04 14:45
バッファ層を用いたGGG基板上のBaTiO3の成長と特性
蓮見 琉河野夏輝中村雄一豊橋技科大CPM2022-12
抄録 (和) 我々の研究室では,マルチフェロイック複合膜を用いた磁気光学空間光変調器(MOSLM)の実現に向けて,Bi置換希土類鉄ガーネット(Bi:RIG)が配向しやすいGGG基板上に,Bi:RIGとバッファ層上に形成した圧電材料を同時に成長させることを想定している.本研究ではGGG(111)基板上に形成したバッファ層上にBaTiO3 (BTO)を成長させ,評価した結果について調査した.バッファ層にはCoFe2O4 (CFO)と NiFe2O4 (NFO)を成膜し,NFOの比率を変えて比較を行った.結果として,極点図解析においてBTO膜はバッファ層上に面内回転した複数のドメインを形成して成長していることがわかり,面内回転の度合いはNFOの厚さに影響される可能性があることがわかった.また誘電特性において,NFO比率の増加に伴い飽和分極Pcが大きくなることがわかった. 
(英) In our laboratory, we have been working to realize magneto-optical spatial light modulators (MOSLMs) with multiferroic composite films, in which Bi-substituted rare earth iron garnets (Bi:RIG) and piezo-electric materials are grown simultaneously on GGG substrates, where piezoelectric materials are formed on buffer layers. In this study, BaTiO3 (BTO) was grown on a buffer layer formed on a GGG (111) substrate, and the results of evaluation were investigated. CoFe2O4 (CFO) and NiFe2O4 (NFO) were deposited on the buffer layer, and different ratios of NFO were used for comparison. As a result, the pole figure analysis showed that the (111) aligned BTO film with multiple in-plane rotated domains grew on the buffer layer , and the degree of in-plane rotation may be affected by the thickness of the NFO. For dielectric properties, the saturation polarization Pc was found to increase with increasing NFO ratio.
キーワード (和) BaTiO3 / バッファ層 / / / / / /  
(英) BaTiO3 / buffer layer / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 122, no. 147, CPM2022-12, pp. 3-6, 2022年8月.
資料番号 CPM2022-12 
発行日 2022-07-28 (CPM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2022-12

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2022-08-04 - 2022-08-05 
開催地(和) 北見工業大学 
開催地(英)  
テーマ(和) 電子部品・材料,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2022-08-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) バッファ層を用いたGGG基板上のBaTiO3の成長と特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Growth and properties of BaTiO3 on GGG substrate with buffer layer(s) 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) BaTiO3 / BaTiO3  
キーワード(2)(和/英) バッファ層 / buffer layer  
キーワード(3)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 蓮見 琉 / Ryu Hasumi / ハスミ リュウ
第1著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: TUT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 河野 夏輝 / Natsuki Kono / コウノ ナツキ
第2著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: TUT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 雄一 / Yuichi Nakamura / ナカムラ ユウイチ
第3著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: TUT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2022-08-04 14:45:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2022-12 
巻番号(vol) vol.122 
号番号(no) no.147 
ページ範囲 pp.3-6 
ページ数
発行日 2022-07-28 (CPM) 


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