講演抄録/キーワード |
講演名 |
2022-08-05 10:20
大気圧化学気相堆積法によるr面サファイア基板上へのβ-Ga2O3及びZnGa2O4薄膜成長 ○寺迫智昭・濱園龍一(愛媛大)・矢木正和(香川高専) CPM2022-18 |
抄録 |
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キーワード |
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文献情報 |
信学技報, vol. 122, no. 147, CPM2022-18, pp. 26-29, 2022年8月. |
資料番号 |
CPM2022-18 |
発行日 |
2022-07-28 (CPM) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
CPM2022-18 |
研究会情報 |
研究会 |
CPM |
開催期間 |
2022-08-04 - 2022-08-05 |
開催地(和) |
北見工業大学 |
開催地(英) |
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テーマ(和) |
電子部品・材料,一般 |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
CPM |
会議コード |
2022-08-CPM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
大気圧化学気相堆積法によるr面サファイア基板上へのβ-Ga2O3及びZnGa2O4薄膜成長 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Atmospheric-pressure Chemical Vapor Deposition of β-Ga2O3 and ZnGa2O4 Thin Films on Sapphire Substrates |
サブタイトル(英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
寺迫 智昭 / Tomoaki Terasako / テラサコ トモアキ |
第1著者 所属(和/英) |
愛媛大学 (略称: 愛媛大)
Ehime University (略称: Ehime Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
濱園 龍一 / Ryuichi Hamazono / ハマゾノ リュウイチ |
第2著者 所属(和/英) |
愛媛大学 (略称: 愛媛大)
Ehime University (略称: Ehime Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
矢木 正和 / Masakazu Yagi / ヤギ マサカズ |
第3著者 所属(和/英) |
香川高等専門学校 (略称: 香川高専)
National Institute of Technology, Kagawa College (略称: Natl. Inst. Technol. Kagawa Coll.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2022-08-05 10:20:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
CPM |
資料番号 |
CPM2022-18 |
巻番号(vol) |
vol.122 |
号番号(no) |
no.147 |
ページ範囲 |
pp.26-29 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2022-07-28 (CPM) |
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