講演抄録/キーワード |
講演名 |
2022-08-08 11:45
[招待講演]3次元フラッシュメモリの高ビット密度を実現する半円型ゲート分断構造セルの構造及び動作の最適化検討 ○諸岡 哲・石川貴之・小村政則・加藤竜也・小山幸紀・韓 業飛・菅原陽平・桑原大輔・新屋敷悠介・村山昭之・西山勝哉・杉前紀久子・小倉達郎・竹田 裕・刈谷奈由太・合木悠佑・小沼将大・神谷優太・山下博幸・滋賀秀裕・板垣清太郎・田中里英子・前田高志・大谷紀雄・藤原 実(キオクシア) SDM2022-36 ICD2022-4 |
抄録 |
(和) |
3次元フラッシュメモリのセルサイズを縮小し、少ない層数で高いビット密度を実現する技術として期待されているゲート分断構造セルには、背面セルのリーク電流による読出動作不良、フリンジ寄生チャネルによる書込消去特性劣化、チャネル面積縮小に伴うランダムテレグラフノイズ(RTN)の劣化という課題があると考えられている。本発表では、これらの課題を解決することによりゲート分断構造セルで4ビット/セル(Quadruple-Level Cell/QLC)以上の多値化が実現可能であることを示す。 |
(英) |
Control gate split cell structure for increasing the cell density by foot-print reduction has several challenges such as leakage current of back-side cells, P/E window reduction due the fringing field effect, and random telegraph noise (RTN) increase due to smaller cell area. In this work, we overcome these challenges by optimizing read operation and cell structures, and experimentally demonstrate more than four bit/cell operation by split-gate cell arrays. |
キーワード |
(和) |
3Dフラッシュメモリ / 高集積化 / ゲート分断 / フローティングゲート / 超多値化 / / / |
(英) |
3D Flash Memory / Bit density / Split-gate / Floating gate / Multi-bits/cell / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 122, no. 148, SDM2022-36, pp. 12-12, 2022年8月. |
資料番号 |
SDM2022-36 |
発行日 |
2022-08-01 (SDM, ICD) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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