| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2022-08-25 13:35 ［招待講演］高信頼性SiCパワー半導体デバイスの実現に向けたウェハ品質評価解析技術開発 ○先﨑純寿（産総研）  R2022-17 EMD2022-5 CPM2022-22 OPE2022-48 LQE2022-11 |
|
| 抄録 | （和） | 省エネルギー化やパワエレ製品の小型軽量化を実現するSiCパワー半導体デバイスを搭載した様々な電源やインバータ等の実用化が進んでいる．しかし，SiCウェハ品質がデバイス信頼性や歩留まりを低下させるため，今後の電気自動車やインフラなどへのシステム応用にはSiCウェハの高品質化と安定供給が喫緊の課題となる．本講演では，この課題解決を支援するSiCウェハ品質評価解析技術開発とその国際標準化の取り組みについて紹介する． |
| （英） | Various power supplies and inverters equipped with SiC power semiconductor devices that realize energy saving and miniaturization and weight reduction of power electronics products are being put into practical use. However, since the quality of SiC wafers reduces the reliability and yield of devices, it is an urgent issue to improve the quality and stable supply of SiC wafers for system application to electric vehicles and infrastructure in the future. In this presentation, we report on the development of quality evaluation and analysis technology for SiC wafers and their international standardization efforts to support the practical application of SiC power semiconductor devices. | |
| キーワード | （和） | パワー半導体 / SiC / 欠陥検査 / デバイス信頼性 / 国際標準化 / / / |
| （英） | Power Semiconductor / SiC / Defect Inspection / Device Reliability / International Standard / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 156, R2022-17, pp. 7-12, 2022年8月. | |
| 資料番号 | R2022-17 | |
| 発行日 | 2022-08-18 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | R2022-17 EMD2022-5 CPM2022-22 OPE2022-48 LQE2022-11 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD R LQE OPE CPM |
| 開催期間 | 2022-08-25 - 2022-08-26 |
| 開催地（和） | 千葉工業大学津田沼キャンパス + オンライン開催 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 受光素子，変調器，光部品・電子デバイス実装・信頼性，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | R |
| 会議コード | 2022-08-EMD-R-LQE-OPE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高信頼性SiCパワー半導体デバイスの実現に向けたウェハ品質評価解析技術開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of wafer quality evaluation platform for realization of high-reliable SiC power semiconductor devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | パワー半導体 / Power Semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(3)（和/英） | 欠陥検査 / Defect Inspection |
| キーワード(4)（和/英） | デバイス信頼性 / Device Reliability |
| キーワード(5)（和/英） | 国際標準化 / International Standard |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 先﨑 純寿 / Junji Senzaki / センザキ ジュンジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第2著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第3著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第4著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2022-08-25 13:35:00 |
| 発表時間 | 60分 |
| 申込先研究会 | R |
| 資料番号 | R2022-17, EMD2022-5, CPM2022-22, OPE2022-48, LQE2022-11 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.156(R), no.157(EMD), no.158(CPM), no.159(OPE), no.160(LQE) |
| ページ範囲 | pp.7-12 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2022-08-18 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]