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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2022-10-19 14:30 CrSiC薄膜抵抗体の微細構造が電気特性に与える影響 ○伊藤 望・前川和義・高橋裕治・利根川 丘（ルネサス エレクトロニクス）  SDM2022-59 |
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| 抄録 | （和） | 電子機器の小型化の要求を背景に、マイコンとアナログ素子 を 同一 Si基板上へ混載する技術に注目が集まっている。この混載技術において、CMOSプロセスに適用可能で小面積かつ抵抗の温度依存性 (TCR)が小さい特性を持つ抵抗素子が必要となる。CrSiC膜はスパッタ成膜とドライエッチングによる加工が可能で、高抵抗かつ小TCRであるため、抵抗素子向け材料として適している。本報告ではCMOSと混載するためのCrSiC膜の基礎特性として、膜の微細構造と電気特性 (抵抗率、TCR)の関係を評価し た。SiO2/Si基板上にスパッタ法にて成膜したCrSiC膜について、アニール温度を最適化することでTCRが低くかつ高抵抗である電気特性が得られた。膜の結晶構造解析、断面観察、組成分析の結果、高抵抗 CrSiC膜は、アモルファス状態のCrSiCとCr-Si系微結晶が混在した構造であると判明した。抵抗率、TCRと結晶状態を説明する電流経路モデルを提示し、結晶状態の調整により所望の高抵抗と小 TCRを実現できることを示す。 |
| （英） | With the recent trend toward higher integration of electronic circuits, the combination of an analog front end (AFE) and a microcontroller unit (MCU) on a single chip has been attracting attention. For the high precision AFE embedded MCU system, resistive elements are required that are applicable to CMOS processes, have a small footprint and have a low temperature coefficient of the resistance (TCR). CrSiC material is one of the most promising candidates because it can be deposited by sputtering and etched by reactive ion etching and has high resistivity and low TCR. In this work, the relationship between microstructures and electrical properties of the CrSiC films were investigated as basic evaluations for CMOS process applications. We optimized the annealing temperature of CrSiC films deposited by sputtering on SiO2/Si substrates. As a result, we obtained a film with low TCR and high resistivity. Crystal phases analysis, cross-sectional observation and compositional analysis revealed that the high resistivity CrSiC film has a mixed structure of amorphous CrSiC and Cr-Si microcrystals. We present current path models for CrSiC films and reveal that the desired high resistance and low TCR can be achieved by tuning the crystalline state. | |
| キーワード | （和） | 薄膜抵抗体 / CrSi膜 / CrSiC膜 / 抵抗温度係数 / TCR / / / |
| （英） | Thin film resistor / CrSi / CrSiC / TCR / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 215, SDM2022-59, pp. 20-23, 2022年10月. | |
| 資料番号 | SDM2022-59 | |
| 発行日 | 2022-10-12 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2022-59 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2022-10-19 - 2022-10-19 |
| 開催地（和） | オンライン開催に変更 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2022-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | CrSiC薄膜抵抗体の微細構造が電気特性に与える影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The effect of microstructures of CrSiC thin film resistors on the electrical properties |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 薄膜抵抗体 / Thin film resistor |
| キーワード(2)（和/英） | CrSi膜 / CrSi |
| キーワード(3)（和/英） | CrSiC膜 / CrSiC |
| キーワード(4)（和/英） | 抵抗温度係数 / TCR |
| キーワード(5)（和/英） | TCR / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 望 / Nozomi Ito / イトウ ノゾミ |
| 第1著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前川 和義 / Kazuyoshi Maekawa / マエカワ カズヨシ |
| 第2著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 裕治 / Yuji Takahashi / タカハシ ユウジ |
| 第3著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 利根川 丘 / Takashi Tonegawa / トネガワ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2022-10-19 14:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2022-59 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.215 |
| ページ範囲 | pp.20-23 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-10-12 (SDM) |
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