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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2022-11-24 16:05 高抵抗歪超格子層を用いたSi基板上のAlGaN/GaN縦型デバイス ○小池貴也・林 航希・早藤綾佑・久保俊晴・江川孝志（名工大）  ED2022-38 CPM2022-63 LQE2022-71 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 271, ED2022-38, pp. 65-68, 2022年11月. | |
| 資料番号 | ED2022-38 | |
| 発行日 | 2022-11-17 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2022-38 CPM2022-63 LQE2022-71 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED LQE |
| 開催期間 | 2022-11-24 - 2022-11-25 |
| 開催地（和） | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） |
| 開催地（英） | Winc Aichi (Aichi Industry & Labor Center) |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光、電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2022-11-CPM-ED-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高抵抗歪超格子層を用いたSi基板上のAlGaN/GaN縦型デバイス |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AlGaN/GaN vertical devices on Si substrate with highly resistive strained layer superlattice |
| サブタイトル（英） | |
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| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小池 貴也 / Takaya Koike / コイケ タカヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 航希 / Koki Hayashi / ハヤシ コウキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 早藤 綾佑 / Ryosuke Hayafuji / ハヤフジ リョウスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久保 俊晴 / Toshiharu Kubo / クボ トシハル |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
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| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2022-11-24 16:05:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2022-38, CPM2022-63, LQE2022-71 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.271(ED), no.272(CPM), no.273(LQE) |
| ページ範囲 | pp.65-68 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-11-17 (ED, CPM, LQE) |
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