お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2022年6月開催~)
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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 藤代 博記 (東京理科大)
副委員長 葛西 誠也 (北大)
幹事 大石 敏之 (佐賀大), 堤 卓也 (NTT)
幹事補佐 小山 政俊 (阪工大), 山本 佳嗣 (三菱電機)

電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 中村 雄一 (豊橋技科大)
副委員長 中澤 日出樹 (弘前大)
幹事 寺迫 智昭 (愛媛大), 武山 真弓 (北見工大)
幹事補佐 木村 康男 (東京工科大), 廣瀬 文彦 (山形大), 番場 教子 (信州大)

レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) [schedule] [select]
専門委員長 高原 淳一 (阪大)
副委員長 西村 公佐 (KDDI総合研究所)
幹事 田中 信介 (富士通), 藤田 和上 (浜松ホトニクス)
幹事補佐 西島 喜明 (横浜国大), 西山 伸彦 (東工大)

日時 2022年11月24日(木) 10:00 - 16:45
2022年11月25日(金) 10:30 - 15:15
議題 窒化物半導体光、電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 
会場名 ウインクあいち (愛知県産業労働センター) 1105会議室 
住所 〒450-0002 愛知県名古屋市中村区名駅4丁目4-38
交通案内 JR名古屋駅桜通口から徒歩5分またはユニモール地下街 5番出口から徒歩2分
https://www.winc-aichi.jp/access/
会場世話人
連絡先
寺迫 智昭
089-927-9789
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(CPM研究会, ED研究会, LQE研究会)についてはこちらをご覧ください.

11月24日(木)  
座長: 中村 雄一 (豊橋技術科学大学)
10:00 - 11:15
  10:00-10:05 開会挨拶 ( 5分 )
(1) 10:05-10:25 CBD法ZnOナノロッドのUV光検出器応用とCBD溶液濃度の素子特性への影響 ED2022-24 CPM2022-49 LQE2022-57 藤川大治・○寺迫智昭愛媛大)・矢木正和香川高専)・山本哲也高知工科大
(2) 10:25-10:45 PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ接合の電圧-電流特性と光応答 ED2022-25 CPM2022-50 LQE2022-58 寺迫智昭愛媛大)・矢木正和香川高専)・山本哲也高知工科大
(3) 10:45-11:05 2次元層状材料g-C3N4/SnS2/grapheneヘテロ接合のCVD成長 ED2022-26 CPM2022-51 LQE2022-59 森 耀平松岡晃汰Baskar Malathi中村篤志静岡大
  11:05-11:15 休憩 ( 10分 )
11月24日(木) 午後 
座長: 寺迫 智昭 (愛媛大学)
11:15 - 14:15
(4) 11:15-11:35 人工光合成光触媒のためのg-C3N4/SnS2コンポジットの合成 ED2022-27 CPM2022-52 LQE2022-60 松岡晃汰森 耀平Baskar Malathi中村篤志静岡大
(5) 11:35-11:55 電気化学堆積したNi(OH)2薄膜の半導体的特性 ED2022-28 CPM2022-53 LQE2022-61 志村政英安部功二名工大
(6) 11:55-12:15 コミュニケーションを取るためのハプティクスグローブの開発 ED2022-29 CPM2022-54 LQE2022-62 竹田龍平中村篤志金武佳明静岡大
  12:15-13:05 昼休憩 ( 50分 )
(7) 13:05-13:25 ゾル-ゲル法による低抵抗Al添加ZnO透明導電膜の作製 ED2022-30 CPM2022-55 LQE2022-63 安部功二久保田 佑名工大
(8) 13:25-13:45 湿式紡糸法によるナノカーボン材料を用いた伸縮導電繊維の開発 ED2022-31 CPM2022-56 LQE2022-64 近藤 光神 悠加藤玲奈曽我哲夫岸 直希名工大
(9) 13:45-14:05 sol-gel法を用いたMgSnO薄膜作製およびSnS/MgSnO薄膜太陽電池への応用 ED2022-32 CPM2022-57 LQE2022-65 稲垣賢吾高野 泰塩田馨音静岡大
  14:05-14:15 休憩 ( 10分 )
11月24日(木) 午後 
座長: 山本 佳嗣 (三菱電機)
14:15 - 15:45
(10) 14:15-14:35 電圧印加界面顕微光応答法によるn-GaNショットキー接触の電界集中の可視化 ED2022-33 CPM2022-58 LQE2022-66 今林弘毅福井大)・堀切文正成田好伸福原 昇住友化学)・三島友義法政大)・塩島謙次福井大
(11) 14:35-14:55 低周波Y22パラメータ測定によるGaN HEMT中のFeトラップ評価 ED2022-34 CPM2022-59 LQE2022-67 西田大生大石敏之佐賀大)・大塚友絢山口裕太郎新庄真太郎山中宏治三菱電機
(12) 14:55-15:15 単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価 ED2022-35 CPM2022-60 LQE2022-68 田中さくら川出智之井上暁喜江川孝志三好実人名工大
(13) 15:15-15:35 GaN系HBTに向けたp-GaInN base層と四元AlGaInN emitter層の検討 ED2022-36 CPM2022-61 LQE2022-69 飯田悠介間瀬 晃滝本将也二階祐宇江川孝志三好実人名工大
  15:35-15:45 休憩 ( 10分 )
11月24日(木) 午後 
座長: 久保 俊晴 (名古屋工大)
15:45 - 16:45
(14) 15:45-16:05 リセス構造形成後表面処理を施したAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価 ED2022-37 CPM2022-62 LQE2022-70 戸田圭太郎久保俊晴江川孝志名工大
(15) 16:05-16:25 高抵抗歪超格子層を用いたSi基板上のAlGaN/GaN縦型デバイス ED2022-38 CPM2022-63 LQE2022-71 小池貴也林 航希早藤綾佑久保俊晴江川孝志名工大
(16) 16:25-16:45 AlN/AlGaN/GaN MISデバイスにおけるAlN/AlGaN界面制御層の効果 ED2022-39 CPM2022-64 LQE2022-72 デン ユウチェン穴場 響松山秀幸鈴木寿一北陸先端大
11月25日(金)  
座長: 平山 秀樹 (理化学研究所)
10:30 - 13:00
  10:30-10:35 2021年度 LQE奨励賞授与式 ( 5分 )
(17) 10:35-11:05 [奨励講演]輻射・非輻射再結合の同時計測による窒化物半導体における再結合機構の解明へ向けた研究 ED2022-40 CPM2022-65 LQE2022-73 森 恵人森本悠也山口敦史金沢工大)・草薙 進蟹谷裕也工藤喜弘冨谷茂隆ソニー
(18) 11:05-11:25 窒化物半導体の励起子ダイナミクスのシミュレーションと実験的考察 ~ 励起子発光に与えるフォノン場の影響と温度依存性 ~ ED2022-41 CPM2022-66 LQE2022-74 地﨑匡哉大木健輔石谷善博千葉大
(19) 11:25-11:45 半極性 {11-22}AlInN/GaInN の成長温度依存性 ED2022-42 CPM2022-67 LQE2022-75 藤澤孝博中林泰希江川孝志三好実人名工大)・竹内哲也名城大)・岡田成仁只友一行山口大
  11:45-13:00 昼休憩 ( 75分 )
11月25日(金) 午後 
座長: 三好 実人 (名古屋工大)
13:00 - 14:10
(20) 13:00-13:20 サーマルリフロー法を用いたInGaN系多波長発光構造の作製とLEDデバイス動作 ED2022-43 CPM2022-68 LQE2022-76 松田祥伸船戸 充川上養一京大
(21) 13:20-13:40 AlGaN 系 UV-B 半導体レーザーの作製とそのデバイス特性 ED2022-44 CPM2022-69 LQE2022-77 薮谷歩武長谷川亮太近藤涼輔松原衣里名城大)・岩山 章名城大/三重大)・岩谷素顕上山 智竹内哲也名城大)・三宅秀人三重大)・神 好人松本竜弥寅丸雅光JSW)・鳥居博典JSW afty)・今井大地名城大
(22) 13:40-14:00 組成傾斜層を用いた230nm帯AlGaN系LEDの高効率化 ED2022-45 CPM2022-70 LQE2022-78 前田哲利鹿嶋行雄松浦恵理子理研)・祝迫 恭日タン)・平山秀樹理研
  14:00-14:10 休憩 ( 10分 )
11月25日(金) 午後 
座長: 山口 敦史 (金沢工大)
14:10 - 15:15
(23) 14:10-14:30 様々な結晶面を利用したInGaN系ナノコラム結晶の成長と発光デバイス応用 ED2022-46 CPM2022-71 LQE2022-79 山田純平水野 愛富樫理恵野村一郎岸野克巳上智大
(24) 14:30-14:50 Progressing of THz-QCL based on GaAs, GaN, ZnO ED2022-47 CPM2022-72 LQE2022-80 Li WangHideki HirayamaRIKEN
(25) 14:50-15:10 前方励起ラマン増幅器用半導体インコヒーレント光源(i-Pump)の開発 ED2022-48 CPM2022-73 LQE2022-81 吉田順自古河電工)・北條直哉FFOD)・畳田泰斗大石智洋高坂繁弘古川拓哉市原 了杉崎隆一木村俊雄古河電工
  15:10-15:15 閉会挨拶 ( 5分 )

講演時間
一般講演発表 15 分 + 質疑応答 5 分
奨励講演発表 20 分 + 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 小谷 淳二(富士通研)
TEL : 046-250-8243
E- :jun-01
堤 卓也(NTT)
TEL: 046-240-3180
E-:  
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先 寺迫 智昭 (愛媛大学)
TEL : 089-927-9789
E- : amze-u 
LQE レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)   [今後の予定はこちら]
問合先 藤田 和上(浜松ホトニクス(株))
TEL 053-586-7111
E-: kcrlhpk

田中 信介(富士通(株))
TEL 080-2203-4544
E-: n- 
お知らせ ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/welcome.html
◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。


Last modified: 2022-11-23 15:51:36


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