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講演抄録/キーワード
講演名 2022-11-24 14:55
単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価
田中さくら川出智之井上暁喜江川孝志三好実人名工大ED2022-35 CPM2022-60 LQE2022-68
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 122, no. 271, ED2022-35, pp. 53-56, 2022年11月.
資料番号 ED2022-35 
発行日 2022-11-17 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2022-35 CPM2022-60 LQE2022-68

研究会情報
研究会 CPM ED LQE  
開催期間 2022-11-24 - 2022-11-25 
開催地(和) ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋) 
開催地(英) Winc Aichi (Aichi Industry & Labor Center) 
テーマ(和) 窒化物半導体光、電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2022-11-CPM-ED-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication and characterization of AlGaInN/GaN HEMTs on Single-Crystal AlN Substrate 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 さくら / SakuraTanaka / タナカ サクラ
第1著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 川出 智之 / Tomoyuki Kawaide / カワイデ トモユキ
第2著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 暁喜 / Akiyoshi Inoue / イノウエ アキヨシ
第3著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ
第4著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 三好 実人 / Makoto Miyoshi / ミヨシ マコト
第5著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2022-11-24 14:55:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2022-35, CPM2022-60, LQE2022-68 
巻番号(vol) vol.122 
号番号(no) no.271(ED), no.272(CPM), no.273(LQE) 
ページ範囲 pp.53-56 
ページ数
発行日 2022-11-17 (ED, CPM, LQE) 


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