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講演抄録/キーワード
講演名 2022-11-24 16:25
AlN/AlGaN/GaN MISデバイスにおけるAlN/AlGaN界面制御層の効果
デン ユウチェン穴場 響松山秀幸鈴木寿一北陸先端大ED2022-39 CPM2022-64 LQE2022-72
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 122, no. 271, ED2022-39, pp. 69-72, 2022年11月.
資料番号 ED2022-39 
発行日 2022-11-17 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2022-39 CPM2022-64 LQE2022-72

研究会情報
研究会 CPM ED LQE  
開催期間 2022-11-24 - 2022-11-25 
開催地(和) ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋) 
開催地(英) Winc Aichi (Aichi Industry & Labor Center) 
テーマ(和) 窒化物半導体光、電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2022-11-CPM-ED-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) AlN/AlGaN/GaN MISデバイスにおけるAlN/AlGaN界面制御層の効果 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effects of AlN/AlGaN interfacial control layers in AlN/AlGaN/GaN MIS devices 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) デン ユウチェン / Yuchen Deng / デン ユウチェン
第1著者 所属(和/英) 北陸先端科学技術大学院大学 (略称: 北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称: JAIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 穴場 響 / Hibiki Anaba / アナバ ヒビキ
第2著者 所属(和/英) 北陸先端科学技術大学院大学 (略称: 北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称: JAIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 松山 秀幸 / Hideyuki Matsuyama / マツヤマ ヒデユキ
第3著者 所属(和/英) 北陸先端科学技術大学院大学 (略称: 北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称: JAIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 寿一 / Toshi-kazu Suzuki / スズキ トシカズ
第4著者 所属(和/英) 北陸先端科学技術大学院大学 (略称: 北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称: JAIST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2022-11-24 16:25:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2022-39, CPM2022-64, LQE2022-72 
巻番号(vol) vol.122 
号番号(no) no.271(ED), no.272(CPM), no.273(LQE) 
ページ範囲 pp.69-72 
ページ数
発行日 2022-11-17 (ED, CPM, LQE) 


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