講演抄録/キーワード |
講演名 |
2022-11-25 14:10
様々な結晶面を利用したInGaN系ナノコラム結晶の成長と発光デバイス応用 ○山田純平・水野 愛・富樫理恵・野村一郎・岸野克巳(上智大) ED2022-46 CPM2022-71 LQE2022-79 |
抄録 |
(和) |
本研究では、様々な面方位を用いたInGaN系ナノコラム結晶の成長とそれを用いたナノコラムμ-LEDの作製に関して検討しました。InGaN/GaN SLを20ペア以上成長させることで(10-11)面を形成し、その上にInGaN/AlGaN MQWsを成功させたところ、InGaN/GaN SLの面方位を引き継ぎInGaN/AlGaN MQWsが成長することが分かりました。この半極性面MQWsを持つナノコラムを用いてμ-LEDを試作したところ、波長600nm以上の赤色域でのEL発光を観察しました。また、注入電流密度510 A/cm2においても波長30nm以下の少ないブルーシフトであったことから半極性面によるQCSE抑制の可能性が示唆されました。 |
(英) |
In this study, we investigated the growth of InGaN-based nanocolumns with various crystal orientations and the fabrication of nanocolumn μ-LEDs. In the early stage of InGaN/GaN SL growth, (0001) and (1-102) planes were formed, and the growth orientation of SL layers changed to (1-102) and (10-11) planes in about 5 pairs. Finally, only the (10-11) plane was formed by the growth of SL layers 20 pairs. Utilizing this phenomenon, InGaN/AlGaN MQWs were grown on the (10-11) plane InGaN/GaN SL underlayers. From the STEM observation, the (10-11) plane InGaN/AlGaN MQWs were grown and inherited the crystal orientation formed by the InGaN/GaN SL layers. A μ-LED was fabricated using these nanocolumn samples. As a result, we succeeded in observing EL emission in the red region. |
キーワード |
(和) |
窒化ガリウム / ナノコラム / MBE / μ-LED / / / / |
(英) |
Gallium nitride / Nanocolumn / MBE / μ-LED / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 122, no. 273, LQE2022-79, pp. 99-102, 2022年11月. |
資料番号 |
LQE2022-79 |
発行日 |
2022-11-17 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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ED2022-46 CPM2022-71 LQE2022-79 |
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