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講演抄録/キーワード
講演名 2022-12-09 10:40
h-BNのSi基板上低温成膜技術の開発とgraphene/h-BN/Si積層型平面電子放出デバイスへの応用
山本将也静岡大/産総研)・村田博雅長尾昌善産総研)・三村秀典根尾陽一郎静岡大)・村上勝久産総研ED2022-61
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 122, no. 298, ED2022-61, pp. 37-38, 2022年12月.
資料番号 ED2022-61 
発行日 2022-12-01 (ED) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2022-61

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2022-12-08 - 2022-12-09 
開催地(和) 12/8 名大,12/9 ウインク愛知(会場は「詳細はこちら」を参照ください) 
開催地(英) 12/8 Nagoya University, 12/9 WINC AICHI 
テーマ(和) 電子・イオンビーム応用 
テーマ(英) Applications of electron and ion beam 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2022-12-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) h-BNのSi基板上低温成膜技術の開発とgraphene/h-BN/Si積層型平面電子放出デバイスへの応用 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Development of low-temperature synthesis of h-BN on Si substrate and its application to graphene/h-BN/Si stacked planar-type electron emission devices 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 将也 / Masaya Yamamoto / ヤマモト マサヤ
第1著者 所属(和/英) 静岡大学/産業技術総合研究所 (略称: 静岡大/産総研)
Shizuoka University/ National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: Shizuoka Univ./ AIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 村田 博雅 / Hiromasa Murata / ムラタ ヒロマサ
第2著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 長尾 昌善 / Masayoshi Nagao / ナガオ マサヨシ
第3著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 三村 秀典 / Hidenori Mimura / ミムラ ヒデノリ
第4著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 根尾 陽一郎 / Yoichiro Neo / ネオ ヨウイチロウ
第5著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 村上 勝久 / Katsuhisa Murakami / ムラカミ カツヒサ
第6著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2022-12-09 10:40:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2022-61 
巻番号(vol) vol.122 
号番号(no) no.298 
ページ範囲 pp.37-38 
ページ数
発行日 2022-12-01 (ED) 


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