講演抄録/キーワード |
講演名 |
2022-12-09 11:20
ゲートドライバーICの1チップ化・高機能化に向けての検討 ○大串悠介・松本 聡(九工大) EE2022-22 CPM2022-77 OME2022-35 |
抄録 |
(和) |
近年、電源の小型化に対して、高周波で高効率動作が実現できるGaNパワーデバイスが注目を集めている。本研究室では高周波で高効率動作するGaNパワーデバイスを駆動・制御する回路、受動部品を1チップに積層した3D power SoCの実現を目指している。先行研究で提案されたGaN用ゲートドライバーICではダイオードや受動部品が用いられており、1チップ化が困難である。そのため、電源の小型化を実現するためにはゲートドライバーICの1チップ化が重要課題となる。本研究では、ゲートドライバーICの1チップ化および高機能化を検討した結果について報告する。 |
(英) |
GaN power devices have caught the attentions for high frequency switching and high efficiency of power supply. Our goal is to realize 3D power-SoC, which stacks driver circuit and control circuit for GaN power devices, and passive devices on one chip. One of the key issues to realize 3D power SoC is to develop fully integrated driver IC for GaN power devices without using discrete devices such as Schottky barrier diode. In this paper, we report the fully integrated gate driver IC with higher functionality. |
キーワード |
(和) |
3D power SoC / GaNパワーデバイス / チャージポンプ / 集積化 / / / / |
(英) |
3D power SoC / GaN power device / Charge pump / Integration / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 122, no. 299, EE2022-22, pp. 18-23, 2022年12月. |
資料番号 |
EE2022-22 |
発行日 |
2022-12-02 (EE, CPM, OME) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
EE2022-22 CPM2022-77 OME2022-35 |
研究会情報 |
研究会 |
EE OME CPM |
開催期間 |
2022-12-09 - 2022-12-09 |
開催地(和) |
機械振興会館 B3-1 |
開催地(英) |
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テーマ(和) |
エネルギー技術、半導体電力変換、電池、電気化学デバイス、材料、一般 |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
EE |
会議コード |
2022-12-EE-OME-CPM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
ゲートドライバーICの1チップ化・高機能化に向けての検討 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Investigation for one-chip high functionality gate driver IC |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
3D power SoC / 3D power SoC |
キーワード(2)(和/英) |
GaNパワーデバイス / GaN power device |
キーワード(3)(和/英) |
チャージポンプ / Charge pump |
キーワード(4)(和/英) |
集積化 / Integration |
キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
大串 悠介 / Yusuke Ogushi / オオグシ ユウスケ |
第1著者 所属(和/英) |
九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Institute of Technology (略称: KIT) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
松本 聡 / Satoshi Matsumoto / マツモト サトシ |
第2著者 所属(和/英) |
九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Institute of Technology (略称: KIT) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2022-12-09 11:20:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
EE |
資料番号 |
EE2022-22, CPM2022-77, OME2022-35 |
巻番号(vol) |
vol.122 |
号番号(no) |
no.299(EE), no.300(CPM), no.301(OME) |
ページ範囲 |
pp.18-23 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2022-12-02 (EE, CPM, OME) |
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