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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2022-12-19 16:45 テラヘルツ応用に向けたIn0.8Ga0.2As及びInAs複合チャネルを有するInP-HEMTの比較解析 ○佐々木太郎・堤 卓也・杉山弘樹・中島史人（NTT）  ED2022-77 MWPTHz2022-48 |
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| 抄録 | （和） | 近年のトラヒック需要の高まりや，センシング・イメージングなどの新しい応用展開へ向けて，300 GHz－3 THzの超高周波で動作可能なテラヘルツICへの注目が高まっている．InP-HEMTは，極めて高い電子移動度を有するチャネル材料に加え，チャネルを走行する電子が不純物散乱を受けないというデバイス構造により優れた高周波特性を有し，テラヘルツICの構成素子として有望視されている．InP-HEMT高周波化のアプローチとしては，InxGa1-xAsチャネルのインジウム組成を増やし電子移動度を向上させることが挙げられるが，一方で狭バンドギャップ化によるインパクトイオン化，それに伴う周波数特性劣化の問題も顕在化する．次世代のテラヘルツIC技術構築に向けては，材料物性の観点からInAs（x = 1）の採用が必須であり，本研究ではその第一歩として，InAs複合チャネルを有するInP-HEMTデバイスの優位性と課題を，従来のIn0.2Ga0.8As複合チャネルとの比較から議論する． |
| （英） | Terahertz ICs have been attracting much attention due to its potential use of next generation wireless communications, sensing, and imaging applications. InP-HEMT is one of the most promising component for terahertz ICs since it shows excellent RF characteristics, which is due to high electron mobility of the channel and impurity-scattering-free HEMT structure. Increasing Indium composition of InxGa1-xAs channel is a basic strategy for improving the carrier mobility, whereas it also leads to severe impact ionization, which degrades the RF performances. Since material property determines the upper limit of device performance, InP-HEMTs with InAs (x = 1) channel are indispensable for next generation terahertz ICs. In this study, therefore, the performance of InP-HEMTs with InAs composite channel was evaluated in comparison with our conventional In-rich In0.2Ga0.8As composite channel. Its advantages and disadvantages were discussed from the view point of terahertz applications. | |
| キーワード | （和） | InP-HEMT / InGaAs / InAs / 複合チャネル / / / / |
| （英） | InP-HEMT / InGaAs / InAs / Composite channel / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 319, ED2022-77, pp. 28-33, 2022年12月. | |
| 資料番号 | ED2022-77 | |
| 発行日 | 2022-12-12 (ED, MWPTHz) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2022-77 MWPTHz2022-48 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MWPTHz |
| 開催期間 | 2022-12-19 - 2022-12-20 |
| 開催地（和） | 東北大学・電気通信研究所 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2022-12-ED-MWPTHz |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | テラヘルツ応用に向けたIn0.8Ga0.2As及びInAs複合チャネルを有するInP-HEMTの比較解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of InP-HEMTs with In0.8Ga0.2As/InAs composite channel for terahertz applications |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP-HEMT / InP-HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(3)（和/英） | InAs / InAs |
| キーワード(4)（和/英） | 複合チャネル / Composite channel |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐々木 太郎 / Taro Sasaki / ササキ タロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堤 卓也 / Takuya Tsutsumi / ツツミ タクヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉山 弘樹 / Hiroki Sugiyama / スギヤマ ヒロキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone (略称： NTT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中島 史人 / Fumito Nakajima / ナカジマ フミト |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone (略称： NTT) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2022-12-19 16:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2022-77, MWPTHz2022-48 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.319(ED), no.320(MWPTHz) |
| ページ範囲 | pp.28-33 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2022-12-12 (ED, MWPTHz) |
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