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| 講演名 | 2022-12-19 16:05 ［招待講演］テラヘルツ帯を用いたBeyond 5G超高速大容量通信実現のためのInP-HEMT-IC製造技術 ○堤 卓也・濱田裕史・徐 照男・杉山弘樹・佐々木太郎・高橋宏行・中島史人（NTT）  ED2022-76 MWPTHz2022-47 |
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| 抄録 | （和） | 無線トラヒックの需要急増に対応するためB5G もしくは6G と呼ばれるシステムの検討が始まっており，その周波数帯の一候補として300 GHz 帯を用いたテラヘルツ帯が注目されている．本報告では，数100GHz を超える高周波動作が可能なInP 系高電子移動度トランジスタ（InP-based high mobility electron transistors: InP-HEMTs）の概要とその製造技術について述べる．さらに300 GHz 帯通信に必須となるテラヘルツIC（Tera-Hertz monolithic ICs: THz-ICs），及びそのモジュールを紹介し，B5G/6G への適用可能性について議論する． |
| （英） | Next-generation "Beyond 5G (B5G) / 6G" wireless network systems have been researched and developed for meeting with rapid growth of mobile traffics. We report high-yield fabrication process of InP-based high mobility transistors (InP-HEMTs) and Tera-Hertz monolithic ICs (THz-ICs) with 300-GHz-operation which is one of the candidate frequency for B5G/6G network systems. We also introduce InP-based THz-ICs such as 300-GHz power amplifiers and mixers and indicate that InP-based devices are an applicable candidate for B5G/6G. | |
| キーワード | （和） | Beyond 5G (B5G) / 6G / テラヘルツIC / インジウム燐 / 高電子移動度電界効果トランジスタ, / 裏面プロセス / 300-GHz帯 / / |
| （英） | Beyond 5G (B5G) / 6G / Tera-Hertz ICs (THz-ICs) / Indium phosphide (InP) / High electron mobility transistors (HEMTs) / Backside process / 300-GHz band / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 319, ED2022-76, pp. 23-27, 2022年12月. | |
| 資料番号 | ED2022-76 | |
| 発行日 | 2022-12-12 (ED, MWPTHz) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2022-76 MWPTHz2022-47 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MWPTHz |
| 開催期間 | 2022-12-19 - 2022-12-20 |
| 開催地（和） | 東北大学・電気通信研究所 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2022-12-ED-MWPTHz |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | テラヘルツ帯を用いたBeyond 5G超高速大容量通信実現のためのInP-HEMT-IC製造技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | InP-HEMT Fabrication Process Technology for Beyond 5G Wireless Network with Tera-Hertz Band |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Beyond 5G (B5G) / 6G / Beyond 5G (B5G) / 6G |
| キーワード(2)（和/英） | テラヘルツIC / Tera-Hertz ICs (THz-ICs) |
| キーワード(3)（和/英） | インジウム燐 / Indium phosphide (InP) |
| キーワード(4)（和/英） | 高電子移動度電界効果トランジスタ, / High electron mobility transistors (HEMTs) |
| キーワード(5)（和/英） | 裏面プロセス / Backside process |
| キーワード(6)（和/英） | 300-GHz帯 / 300-GHz band |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堤 卓也 / Takuya Tsutsumi / ツツミ タクヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 濱田 裕史 / Hiroshi Hamada / ハマダ ヒロシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 徐 照男 / Teruo Jyo / ジョ テルオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉山 弘樹 / Hiroki Sugiyama / スギヤマ ヒロキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐々木 太郎 / Taro Sasaki / ササキ タロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 宏行 / Hiroyuki Takahashi / タカハシ ヒロユキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中島 史人 / Fumito Nakajima / ナカジマ フミト |
| 第7著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2022-12-19 16:05:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2022-76, MWPTHz2022-47 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.319(ED), no.320(MWPTHz) |
| ページ範囲 | pp.23-27 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2022-12-12 (ED, MWPTHz) |
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