講演抄録/キーワード |
講演名 |
2022-12-19 15:25
量子輸送パラメータの抽出に向けた三重障壁共鳴トンネルダイオードのアドミタンススペクトロスコピー ○牧野赳士・須原理彦(都立大)・浅川澄人(都立産技高専)・渡邊一世・赤羽浩一(NICT) ED2022-75 MWPTHz2022-46 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2022-75 MWPTHz2022-46 |
抄録 |
(和) |
半絶縁性InP基板上に低温MBE成長で作製したInGaAs/InAs/InAlAsヘテロ構造からなる三重障壁共鳴トンネルダイオード(TBRTD)を作製し、67GHzまでのSパラメータを室温で測定した。特に、三重障壁構造に起因する微分負性コンダクタンス(NDC)を不要な自励振動を避けて測定することができた。測定用電極などの周辺構造を含むデバイス構造のCADモデルに電磁界シミュレーションを適用して測定データから寄生成分を除去し、TBRTDメサ部分のみのアドミタンススペクトロスコピーを行った。
スペクトロスコピーの結果、TBTRDの周波数特性を表現するには熱浴系と共鳴トンネル系の相互作用に起因する非平衡な電子の緩和現象およびトンネル輸送現象を考慮することが不可欠であることが分かった。これらの定量的な表現として量子輸送パラメータを定義し、そのバイアス依存性を抽出した。今回作製したTBRTDにおいては、量子輸送パラメータはおよそピコ秒オーダーで推移していることがわかった。得られた理論アドミタンスの外挿により、300GHz帯におけるNDCの周波数特性を予測した。 |
(英) |
Triple-barrier resonant tunneling diodes (TBRTDs) consisting of InGaAs/InAs/InAlAs heterostructures fabricated by low-temperature MBE growth on semi-insulating InP substrates were fabricated and their S-parameters up to 67 GHz were measured at room temperature. In particular, the negative differential conductance (NDC) due to the triple barrier structure could be measured without unwanted self oscillations. Admittance data of TBRTDs were deembedded by getting rid of parasitic components with help of electromagnetic simulations for CAD model of particular fabricated device structures.
Results of admittance spectroscopy show that it is essential to take into account non-equilibrium electron relaxation and tunneling transport phenomena due to the interaction between the reservoir system and the resonant tunneling system in order to describe the frequency characteristics of TBRTDs. Quantum transport parameters were defined as a quantitative expression of these phenomena and their bias dependence was extracted. In the TBRTDs fabricated in this study, the quantum transport parameters were found to be on the order of approximately picoseconds. By extrapolation of the obtained theoretical admittances, the frequency characteristics of NDCs in the 300 GHz band were predicted. |
キーワード |
(和) |
三重障壁共鳴トンネルダイオード / 量子輸送パラメータ / アドミタンススペクトロスコピー / / / / / |
(英) |
triple-barrier resonant tunneling diode / quamtum transport parameters / admittance spectroscopy / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 122, no. 319, ED2022-75, pp. 19-22, 2022年12月. |
資料番号 |
ED2022-75 |
発行日 |
2022-12-12 (ED, MWPTHz) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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