講演抄録/キーワード |
講演名 |
2022-12-20 10:10
放熱と低導体損のための厚いInP導電層を用いた高出力共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器 ○田中大基・藤方秀成・韓 非凡・石川 暁・鈴木左文(東工大) ED2022-80 MWPTHz2022-51 |
抄録 |
(和) |
共鳴トンネルダイオード(RTD)はコンパクトな室温テラヘルツ(THz)光源として期待されているが,熱破壊の問題により小面積のRTDしか用いることができず, 出力は小さかった. そこで, 放熱の改善を目的にRTD層下の導電層を低熱伝導InGaAsから高熱伝導InPに変更したRTD構造を考案し, この基板上に矩形空洞共振器を用いたTHz発振器作製した. その結果, 0.61THzで 0.84 mW の高出力発振を得た. |
(英) |
Resonant tunneling diode (RTD) structure is one of the candidates for the terahertz (THz) sources. However, the output power is small, because a small RTD area must be employed due to heat destruction. In this study, the low-thermal conductive n+-InGaAs layer under the RTD layer, which disturbed heat dissipation to the substrate, was replaced by a high-thermal conductive n+-InP layer. Using this RTD structure, we fabricated THz oscillators with rectangular cavity resonator and large-area RTD. As a result, a high output power of 0.84 mW was achieved at 0.61 THz. |
キーワード |
(和) |
テラヘルツ(THz)発振器 / 共鳴トンネルダイオード (RTD) / / / / / / |
(英) |
Terahertz (THz) Oscillator / Resonant tunneling diode (RTD) / / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 122, no. 319, ED2022-80, pp. 42-45, 2022年12月. |
資料番号 |
ED2022-80 |
発行日 |
2022-12-12 (ED, MWPTHz) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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ED2022-80 MWPTHz2022-51 |
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