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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2022-12-20 10:10 放熱と低導体損のための厚いInP導電層を用いた高出力共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器 ○田中大基・藤方秀成・韓 非凡・石川 暁・鈴木左文（東工大）  ED2022-80 MWPTHz2022-51 |
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| 抄録 | （和） | 共鳴トンネルダイオード（RTD）はコンパクトな室温テラヘルツ（THz）光源として期待されているが,熱破壊の問題により小面積のRTDしか用いることができず, 出力は小さかった. そこで, 放熱の改善を目的にRTD層下の導電層を低熱伝導InGaAsから高熱伝導InPに変更したRTD構造を考案し, この基板上に矩形空洞共振器を用いたTHz発振器作製した. その結果, 0.61THzで 0.84 mW の高出力発振を得た. |
| （英） | Resonant tunneling diode (RTD) structure is one of the candidates for the terahertz (THz) sources. However, the output power is small, because a small RTD area must be employed due to heat destruction. In this study, the low-thermal conductive n+-InGaAs layer under the RTD layer, which disturbed heat dissipation to the substrate, was replaced by a high-thermal conductive n+-InP layer. Using this RTD structure, we fabricated THz oscillators with rectangular cavity resonator and large-area RTD. As a result, a high output power of 0.84 mW was achieved at 0.61 THz. | |
| キーワード | （和） | テラヘルツ(THz)発振器 / 共鳴トンネルダイオード (RTD) / / / / / / |
| （英） | Terahertz (THz) Oscillator / Resonant tunneling diode (RTD) / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 319, ED2022-80, pp. 42-45, 2022年12月. | |
| 資料番号 | ED2022-80 | |
| 発行日 | 2022-12-12 (ED, MWPTHz) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2022-80 MWPTHz2022-51 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MWPTHz |
| 開催期間 | 2022-12-19 - 2022-12-20 |
| 開催地（和） | 東北大学・電気通信研究所 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2022-12-ED-MWPTHz |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 放熱と低導体損のための厚いInP導電層を用いた高出力共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-Power Resonant-Tunneling-Diode Terahertz Oscillator using Thick InP Conductive Layer for Heat Dissipation and Low Conduction Loss |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | テラヘルツ(THz)発振器 / Terahertz (THz) Oscillator |
| キーワード(2)（和/英） | 共鳴トンネルダイオード (RTD) / Resonant tunneling diode (RTD) |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 大基 / Hiroki Tanaka / タナカ ヒロキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Titech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤方 秀成 / Hidenari Fujikata / |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Titech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 韓 非凡 / Feifan Han / カン ヒハン |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Titech) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 暁 / Akira Ishikawa / イシカワ アキラ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Titech) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 左文 / Safumi Suzuki / スズキ サフミ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Titech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2022-12-20 10:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2022-80, MWPTHz2022-51 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.319(ED), no.320(MWPTHz) |
| ページ範囲 | pp.42-45 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2022-12-12 (ED, MWPTHz) |
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