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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2022-12-22 16:50 ［ポスター講演］基板付き薄膜共振子を用いたScAlN、ZnO、PZT圧電薄膜層のQ値抽出 ○清水祐樹（早大）・柳谷隆彦（早大/JST）  US2022-61 |
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| 抄録 | （和） | スマートフォン向けのRFフィルタでは無線バンドが密集しており、高い急峻性(Q値)が要求される。周波数フィルタの1つであるBAWフィルタの急峻性は、電極抵抗損や横方向への音波の漏れが十分に抑えられていれば、圧電薄膜の機械的Qm値(音響損失)に依存する。そのため圧電薄膜のQm値評価は重要だが、既存のQm値評価手法では基板をエッチングにより除去した薄膜自立構造が必要である。そこで我々のグループではこれまでAs-grownの基板付き薄膜構造から圧電薄膜のQm値を評価する手法を提案している。本研究では、この手法を用いてScxAl1-xN、ZnO、およびエピタキシャル成長Pb(ZrxTi1-x)O3薄膜のQm値を測定した。その結果、Sc濃度が増えるほどScAlN薄膜のQm値は低下し、Zr濃度が増えるほどエピPZT薄膜のQm値が低下する特性を確認した。また、多結晶薄膜とエピタキシャル成長薄膜のQm値を比較した。加えて、本手法においてQm値の過小評価の原因となる横方向への音波の漏れの影響についても調査した。 |
| （英） | In recent years, sharp passband is required for RF filters to prevent interference between neighboring bands. The sharpness of BAW filters depends on the mechanical Q factor (Q¬m) of the piezoelectric thin film in case the electric loss and acoustic leakage loss is sufficiently small. Our group previously proposed a method to extract Qm from as grown film/substrate structure. In this study, the Q¬m of ScxAl1-xN, ZnO, epitaxial Pb(ZrxTi1-x)O3 thin films were evaluated. As a result, Qm of ScxAl1-xN films decrease with increasing Sc concentration and Q¬m of Q¬m films decrease with increasing Zr concentration. We also compared the Qm of polycrystalline and epitaxially grown thin films. In addition, the effect of lateral acoustic wave leakage on extracted Qm was also investigated. | |
| キーワード | （和） | 圧電薄膜 / Q値 / BAW / ScAlN / PZT薄膜 / / / |
| （英） | Piezoelectric thin film / Q factor / BAW / ScAlN / PZT thin film / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 323, US2022-61, pp. 56-61, 2022年12月. | |
| 資料番号 | US2022-61 | |
| 発行日 | 2022-12-15 (US) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | US2022-61 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EA US |
| 開催期間 | 2022-12-22 - 2022-12-23 |
| 開催地（和） | サテライトキャンパスひろしま |
| 開催地（英） | Satellite Campus Hiroshima |
| テーマ（和） | ＜音響・超音波サブソサイエティ合同研究会＞応用／電気音響，超音波一般 |
| テーマ（英） | [Joint Meeting on Acoustics and Ultrasonics Subsociety] Engineering/Electro Acoustics, Ultrasonics, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | US |
| 会議コード | 2022-12-EA-US |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 基板付き薄膜共振子を用いたScAlN、ZnO、PZT圧電薄膜層のQ値抽出 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Q factor extraction of ScAlN, ZnO, PZT piezoelectric films without etching substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 圧電薄膜 / Piezoelectric thin film |
| キーワード(2)（和/英） | Q値 / Q factor |
| キーワード(3)（和/英） | BAW / BAW |
| キーワード(4)（和/英） | ScAlN / ScAlN |
| キーワード(5)（和/英） | PZT薄膜 / PZT thin film |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清水 祐樹 / Yuki Shimizu / シミズ ユウキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 早稲田大学/各務記念材料技術研究所 (略称： 早大) Waseda University/ZAIKEN (略称： Waseda Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳谷 隆彦 / Takahiko Yanagitani / ヤナギタニ タカヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 早稲田大学/各務記念材料技術研究所/JST-CREST/JST-FOREST (略称： 早大/JST) Waseda University/ZAIKEN/JST-CREST/JST-FOREST (略称： Waseda Univ./JST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2022-12-22 16:50:00 |
| 発表時間 | 120分 |
| 申込先研究会 | US |
| 資料番号 | US2022-61 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.323 |
| ページ範囲 | pp.56-61 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2022-12-15 (US) |
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