| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2022-12-22 16:50 ［ポスター講演］LiNbO3スパッタエピ薄膜のGHz帯励振特性 ○工藤慎也・柳谷隆彦（早大）  US2022-66 |
|
| 抄録 | （和） | LiNbO3は、Q値とk2値が高いため、SAWフィルタに使用されている。しかし、通常のスパッタリング法で成長できるc軸配向LiNbO3のkt2値は、180°Y-cut LiNbO3(a面)や、147°Y-cut LiNbO3(r面)の擬似すべりモードk352値と比較して大幅に低いため、LiNbO3はBAWフィルタとして使用されてこなかった。一方近年、機械研磨による薄片化技術を用いたBAWフィルタが多数報告されている。しかし、バルクLiNbO3単結晶のウエハサイズは6インチに対して、スパッタリング法で作製可能なAlN薄膜では8インチで実用化されており、配向制御が達成できれば、スパッタLiNbO3薄膜の優位性は高い。そこで本研究では、エピタキシャルAlドープ導電性a面ZnO層/(10-12)Al2O3上での(10-12) LiNbO3薄膜のエピタキシャル成長を報告する。さらに、これらのエピタキシャルLiNbO3共振子の擬似すべりモード励振特性を報告する。 |
| （英） | LiNbO3 have been used for the SAW filters because of their high Q and k. However, LiNbO3 filter have not used in the BAW industry because thickness extensional mode kt2 in the c-axis oriented LiNbO3, which can be grown in the standard sputtering process, is significantly low compared with quasi-shear mode k352 in the bulk 180°Y-cut LiNbO3 and 147°Y-cut LiNbO3. Therefore, the mechanical thinning of bulk LiNbO3 single crystal plate has been used to fabricate the thin single crystalline layer for BAW resonators. However, wafer size of these top-down process is limited to 6 inch because the size of the bulk LiNbO3 single crystal wafer. In contrast, bottom-up process such as sputtering growth is well-developed in the 8 inch wafer such as AlN films. In this study, we report the epitaxial growth of (10-12) LiNbO3 on epitaxial (11-20) Al doped conductive ZnO layer (AZO) / (10-12) Al2O3 substrate. Shear mode acoustic properties of the epitaxial (10-12) LiNbO3 film resonator were reported. | |
| キーワード | （和） | LiNbO3 / スパッタ法 / 擬似すべりモード励振特性 / エピタキシャル成長 / / / / |
| （英） | LiNbO3 / Sputtering deposition / Shear mode / Epitaxial growth / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 323, US2022-66, pp. 86-91, 2022年12月. | |
| 資料番号 | US2022-66 | |
| 発行日 | 2022-12-15 (US) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | US2022-66 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EA US |
| 開催期間 | 2022-12-22 - 2022-12-23 |
| 開催地（和） | サテライトキャンパスひろしま |
| 開催地（英） | Satellite Campus Hiroshima |
| テーマ（和） | ＜音響・超音波サブソサイエティ合同研究会＞応用／電気音響，超音波一般 |
| テーマ（英） | [Joint Meeting on Acoustics and Ultrasonics Subsociety] Engineering/Electro Acoustics, Ultrasonics, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | US |
| 会議コード | 2022-12-EA-US |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | LiNbO3スパッタエピ薄膜のGHz帯励振特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Sputter epitaxial LiNbO3 film shear mode thin film resonators |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | LiNbO3 / LiNbO3 |
| キーワード(2)（和/英） | スパッタ法 / Sputtering deposition |
| キーワード(3)（和/英） | 擬似すべりモード励振特性 / Shear mode |
| キーワード(4)（和/英） | エピタキシャル成長 / Epitaxial growth |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 工藤 慎也 / Shinya Kudo / クドウ シンヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Wseda Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳谷 隆彦 / Takahiko Yanagitani / ヤナギタニ タカヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2022-12-22 16:50:00 |
| 発表時間 | 120分 |
| 申込先研究会 | US |
| 資料番号 | US2022-66 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.323 |
| ページ範囲 | pp.86-91 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2022-12-15 (US) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]