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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-01-20 15:10 メンブレンを用いたSTJ検出器の電流電圧特性評価 ○野口剛志・柴﨑太我（埼玉大）・藤井 剛・志岐成友・菊地貴大（産総研）・田井野 徹（埼玉大）  SCE2022-17 |
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| 抄録 | （和） | 超伝導トンネル接合(STJ)検出器は，理論上従来の半導体検出器より数十倍の高いエネルギー分解能を 実現でき，SiC や GaN をはじめとした次世代パワー半導体中の微量軽元素等の X 線分析への応用が期待されてい る.しかし，現在の STJ は Si 基板上に集積されているため，高エネルギーX 線が Si 基板で吸収されることによっ て発生する信号が微量軽元素の特性 X 線のピークと重なることにより，微量軽元素分析が困難になっている.そこ で我々は，STJ 直下での X 線吸収を防止するため，STJ 直下の Si 基板を除去し，自立メンブレン上に STJ を集積す る構造を提案した.本研究では，自立メンブレン上に STJ を作製したことによるリーク電流の増減や歩留まりを電 流電圧特性によって評価した. |
| （英） | Superconducting tunnel junction (STJ) detectors can theoretically achieve several ten times higher energy resolution than conventional semiconductor detectors and are expected to be applied to X-ray fluorescence analysis of trace light elements in next-generation power semiconductors such as SiC and GaN. However, since current STJs are integrated on Si substrate, signals generated by high-energy X-rays absorbed in the Si substrate overlap with characteristic X-ray peaks of the trace light elements, making trace light element analysis difficult. In order to prevent X-ray absorption directly under the STJs, we proposed a new structure in which the STJs are integrated on a freestanding membrane by removing the Si substrate directly under the STJs. In this study, we evaluated leakage current and fabrication yield of the new structure by current-voltage characteristics. | |
| キーワード | （和） | 超伝導X線検出器 / 超伝導トンネル接合検出器 / STJ検出器 / 軽元素分析 / メンブレン / 電流電圧特性 / / |
| （英） | Superconducting X-ray detector / Superconducting tunnel junction detector / STJ detector / Light element analysis / Membrane / Current-voltage characteristics / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 347, SCE2022-17, pp. 23-26, 2023年1月. | |
| 資料番号 | SCE2022-17 | |
| 発行日 | 2023-01-13 (SCE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SCE2022-17 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
| 開催期間 | 2023-01-20 - 2023-01-20 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 超伝導エレクトロニクス一般 |
| テーマ（英） | Superconducting Electronics |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SCE |
| 会議コード | 2023-01-SCE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | メンブレンを用いたSTJ検出器の電流電圧特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of current-voltage characteristics of STJ detectors using membrane |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 超伝導X線検出器 / Superconducting X-ray detector |
| キーワード(2)（和/英） | 超伝導トンネル接合検出器 / Superconducting tunnel junction detector |
| キーワード(3)（和/英） | STJ検出器 / STJ detector |
| キーワード(4)（和/英） | 軽元素分析 / Light element analysis |
| キーワード(5)（和/英） | メンブレン / Membrane |
| キーワード(6)（和/英） | 電流電圧特性 / Current-voltage characteristics |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野口 剛志 / Tsuyoshi Noguchi / ノグチ ツヨシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 埼玉大学 (略称： 埼玉大) Saitama University (略称： Saitama Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柴﨑 太我 / Taiga Shibasaki / シバサキ タイガ |
| 第2著者 所属（和/英） | 埼玉大学 (略称： 埼玉大) Saitama University (略称： Saitama Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤井 剛 / Go Fujii / フジイ ゴウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 志岐 成友 / Shigetomo Shiki / シキ シゲトモ |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 菊地 貴大 / Takahiro Kikuchi / キクチ タカヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田井野 徹 / Tohru Taino / タイノ トオル |
| 第6著者 所属（和/英） | 埼玉大学 (略称： 埼玉大) Saitama University (略称： Saitama Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-01-20 15:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SCE |
| 資料番号 | SCE2022-17 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.347 |
| ページ範囲 | pp.23-26 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-01-13 (SCE) |
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