講演抄録/キーワード |
講演名 |
2023-01-27 15:25
六方晶BN薄膜の減圧CVD成長の高温化 ○大石泰己・渡邊泰良・田中佑樹・増田克仁・吉岡 陸・増田希良里・小南裕子・原 和彦(静岡大) EID2022-8 |
抄録 |
(和) |
BCl₃ と NH₃ を原料とする減圧化学気相法 (CVD) を用いて、c 面サファイア上に六方晶窒化ホウ素 (h-BN) 薄膜のさらなる膜質向上に向けて、従来よりも高い成長温度 Tg における薄膜成長条件の探索を目的とし、Tg = 1300 ℃ および 1400 ℃ における成長条件の最適化を図った。Tg = 1300 ℃ では、NH₃流量を最適化することにより、従来よりも発光特性が大きく向上した。この試料の特性は Tg = 1200 ℃より良好であり、成長の高温化が期待通り示された。Tg = 1400 ℃では、これまで最適な成長圧力 Pgであると考えられていた 15 kPa よりも低い Pg = 7.5 kPa において発光特性が向上した。しかし、膜質の向上は Tg = 1300 ℃に及ばず、さらなる成長温度の高温化には、成長条件の検討をさらに進める必要がある。 |
(英) |
To further improve quality of hexagonal boron nitride (h-BN) thin films grown on c-plane sapphire by a low - pressure chemical vapor deposition (CVD) method with BCl₃ and NH₃, we have optimized the growth conditions at higher growth temperatures, Tg, than before. At Tg = 1300 ℃, optimizing the NH₃ flow rate significantly improved the luminescence property compared to those grow at 1200 ℃. At Tg = 1400 ℃, the luminescence property was most improved at growth pressure, Pg = 7.5 kPa, which is lower than the optimal Pg of 15 kPa at 1200 and 1300 ℃. However, the improvement of film quality was not achieved at Tg = 1400 ℃. At even higher Tg, the growth conditions need to be further investigated. |
キーワード |
(和) |
六方晶窒化ホウ素 / CVD / 薄膜 / 固有励起子発光 / / / / |
(英) |
hexagonal boron nitride / CVD / thin film / excitonic luminescence / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 122, no. 366, EID2022-8, pp. 17-20, 2023年1月. |
資料番号 |
EID2022-8 |
発行日 |
2023-01-19 (EID) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
EID2022-8 |