| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-01-27 12:50 GaN HEMTのGaNトラップが低周波Y22パラメータに与える影響の検討 ～ デバイスシミュレーション ～ 諸隈奨吾（佐賀大）・大塚友絢（三菱電機）・○大石敏之（佐賀大）・山口裕太郎・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機）  ED2022-91 MW2022-150 |
|
| 抄録 | （和） | GaN HEMTの高周波やパワーエレクトロニクス分野への応用を考えた場合、Hz～MHz付近の低周波領域における特性改善が重要で、この周波数帯におけるトラップや発熱効果の挙動解明が重要課題の一つである。特性評価の方法のひとつに低周波Yパラメータがあり、本方法は物理現象解析の他トラップ回路構築にも利用できる。本報告ではGaNトラップがY22に与える影響について、デバイスシミュレーションを用いて検討した。まず、GaNトラップを限定した構造で、オン状態におけるY22とトラップの関連性を検討した結果、Y22への寄与は最表面では観察されず、0.1μm付近で最大となり、それ以降、減少した。ドレインDCバイアスの変動に応じたイオン化トラップ濃度の変動を積分した値は、Y22虚部の大きさと良い相関があった。さらにGaN全体にトラップを配置した構造では、ニー電圧付近、高トラップ濃度でY22虚部の信号が強くなった。高電子濃度の領域から離れたゲートとドレイン間でトラップの電荷の変動が大きくなり、Y22への寄与が大きくなったと考えられた。 |
| （英） | GaN HEMTs are used in high frequency and power electronics applications. Advanced systems demand improvement of characteristics in Hz to MHz frequency region, where traps and heating effects affect. Low frequency Y parameter measurement is a method for not only trap behavior analysis but also trap circuit construction. In this study, we investigated effects of GaN traps to Y22 by device simulation. Imaginary parts of Y22 (Im(Y22)) were calculated for GaN HEMTs with very narrow trap region in GaN layer. When the narrow trap region was located at the AlGaN/GaN interface, there was no signal in Y22. Im(Y22) became maximum around 0.1 μm and less for deeper trap position. The amplitudes of Im(Y22) were found to correspond to integration of change of ionized trap density. In addition, Im(Y22) signal enhanced around knee voltage for GaN HEMTs with uniform trap distribution in GaN layer. The traps located between gate and drain respond for change of drain voltages. | |
| キーワード | （和） | GaN HEMT / Yパラメータ / トラップの特性解析 / デバイスシミュレーション / / / / |
| （英） | GaN HEMT / Y parameters / trap characterization / device simulation / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 370, ED2022-91, pp. 29-32, 2023年1月. | |
| 資料番号 | ED2022-91 | |
| 発行日 | 2023-01-20 (ED, MW) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2022-91 MW2022-150 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2023-01-27 - 2023-01-27 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2023-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaN HEMTのGaNトラップが低周波Y22パラメータに与える影響の検討 |
| サブタイトル（和） | デバイスシミュレーション |
| タイトル（英） | Effects of GaN traps in GaN HEMTs to Low Frequency Y22 Parameters |
| サブタイトル（英） | Device Simulation Study |
| キーワード(1)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | Yパラメータ / Y parameters |
| キーワード(3)（和/英） | トラップの特性解析 / trap characterization |
| キーワード(4)（和/英） | デバイスシミュレーション / device simulation |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 諸隈 奨吾 / Shogo Morokuma / モロクマ ショウゴ |
| 第1著者 所属（和/英） | 佐賀大学 (略称： 佐賀大) Saga University (略称： Saga Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大塚 友絢 / Tomohiro Otsuka / オオツカ トモヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大石 敏之 / Toshiyuki Oishi / オオイシ トシユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 佐賀大学 (略称： 佐賀大) Saga University (略称： Saga Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 裕太郎 / Yutaro Yamaguchi / ヤマグチ ユウタロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新庄 真太郎 / Shintaro Shinjo / シンジョウ シンタロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山中 宏治 / Koji Yamanaka / ヤマナカ コウジ |
| 第6著者 所属（和/英） | 三菱電機 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric (略称： Mitsubishi Electric) |
| 講演者 | 第3著者 |
| 発表日時 | 2023-01-27 12:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2022-91, MW2022-150 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.370(ED), no.371(MW) |
| ページ範囲 | pp.29-32 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-01-20 (ED, MW) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]