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講演抄録/キーワード
講演名 2023-02-28 13:15
Bi置換イットリウム鉄ガーネットにおけるDyおよびAl置換が磁気光学特性に及ぼす影響
ILHAM ZAKI BIN MOHD DAUD青木英也SUMIKO BHARTI SINGH CHAUHAN豊橋技科大)・穴井和音東京高専)・中村雄一豊橋技科大)・水戸慎一郎東京高専)・林 攀梅豊橋技科大CPM2022-96
抄録 (和) 本研究では磁気ホログラムメモリ用記録材料の特性向上を目的に、MOD(Metal Organic Deposition)法によってDyおよびAlを置換したBi置換イットリウム鉄ガーネット(Bi,Dy,Al:YIG)の薄膜試料を作製し、DyおよびAl置換が特性に及ぼす影響の評価を行った. X線解析の結果より、作製したBi,Dy,Al:YIG膜がガーネットとして結晶化していることを確認した。磁気光学特性評価結果から、Dyの置換量ならびにAl置換量が大きくなるに従って飽和ファラデー回転角が減少する傾向が見られた。またホログラムメモリの記録材料として重要な外部磁場がない時の残留ファラデー回転角も飽和ファラデー回転角と同様の傾向が見られたが、Al置換量y=1.0および1.5の試料では変化量は小さかった。保磁力の組成依存性の結果より、Al置換量が小さいほど、またDy置換量が大きいほど保磁力が増加する傾向が見られたが、Al置換量がx=1.0以上の試料ではDy置換量増加に伴う保磁力の増加はあまり大きくなかった。 
(英) In this study, the effects of Dy and Al substitution in Bi substituted YIG(Bi,Dy,Al:YIG) fabricated by the MOD (Metal Organic Deposition) method were investigated to improve the properties of recording material for magnetic hologram memory. The films were analyzed by XRD, and their magneto-optical properties were evaluated. The XRD results showed that all fabricated Bi,Dy,Al:YIG films were crystallized as garnet. From the MO results, the saturation Faraday rotation angles tended to decrease as the Dy and Al substitution value increased, and the residual Faraday rotation angle showed the similar tendency. The coercive force tended to increase with increasing Dy content and decreasing Al content.
キーワード (和) 磁気ホログラムメモリ / 磁性ガーネット / / / / / /  
(英) Magnetic hologram memory / Magnetic garnet / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 122, no. 392, CPM2022-96, pp. 41-44, 2023年2月.
資料番号 CPM2022-96 
発行日 2023-02-21 (CPM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2022-96

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2023-02-28 - 2023-02-28 
開催地(和) 東京工科大学 + オンライン開催 
開催地(英) Tokyo University of Technology 
テーマ(和) 若手ミーティング・電子材料・応用・一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2023-02-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Bi置換イットリウム鉄ガーネットにおけるDyおよびAl置換が磁気光学特性に及ぼす影響 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) The effects of Dy and Al substitution on magneto-optical properties in Bi substituted yttrium iron garnet 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 磁気ホログラムメモリ / Magnetic hologram memory  
キーワード(2)(和/英) 磁性ガーネット / Magnetic garnet  
キーワード(3)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) ILHAM ZAKI BIN MOHD DAUD / Ilham Zaki Bin Mohd Daud / イルハム ザキ ビン モハンマド ダウド
第1著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: TUT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 青木 英也 / Hideya Aoki / アオキ ヒデヤ
第2著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: TUT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) SUMIKO BHARTI SINGH CHAUHAN / Sumiko Bharti Singh Chauhan / スミコ バルティ スィング チャウハン
第3著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: TUT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 穴井 和音 / Kazune Anai /
第4著者 所属(和/英) 東京工業高等専門学校 (略称: 東京高専)
National Institute of Technology, Tokyo College (略称: NIT, Tokyo College)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 雄一 / Yuichi Nakamura / ナカムラ ユウイチ
第5著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: TUT)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 水戸 慎一郎 / Shinichiro Mito /
第6著者 所属(和/英) 東京工業高等専門学校 (略称: 東京高専)
National Institute of Technology, Tokyo College (略称: NIT, Tokyo College)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 林 攀梅 / Lim Pang Boey / リン パン ボイ
第7著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: TUT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2023-02-28 13:15:00 
発表時間 15分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2022-96 
巻番号(vol) vol.122 
号番号(no) no.392 
ページ範囲 pp.41-44 
ページ数
発行日 2023-02-21 (CPM) 


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