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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2023-03-02 14:30 GaAs E-pHEMT GADを用いる準ミリ波帯1W整流器MMIC 角谷直哉・○廣瀬裕也・坂井尚貴・伊東健治（金沢工大）  MW2022-165 |
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| 抄録 | （和） | 本報告では，0.18μm GaAs E-pHEMTによるGated Anode Diode (GAD)を用いる準ミリ波帯1W級倍電圧整流器MMICの設計・試作結果を報告する．0.18μm GaAs E-pHEMT GADがGaAs SBDと比較し高電流特性を有することを示す．その結果として，整流用GADを低端子間容量とすることができ，特に大電力整流の場合に整合損失を抑制することができる．試作した倍電圧整流器MMICでは，周波数26GHz，入力電力30dBmにおいて，整流効率62%，出力電圧32.9Vを得ている．20GHzから40GHzにおける過去の報告と比較し，最も高入力電力である．また整流効率は，過去の入力電力対整流効率のトレンドを大きく上回っている．本技術のミリ波大電力伝送への適用が期待できる. |
| （英） | In this report, quasi-millimeter wave 1 W-class double-voltage rectifier MMIC with 0.18 μm GaAs E-PHEMT gated anode diodes (GADs) is presented. At first, high current characteristic of the 0.18 μm GaAs E-PHEMT GAD is indicated in its characterization, compared with the GaAs SBD. As the result, terminal capacitance of the GAD is made lower than that of the GaAs SBD, matching loss can be reduced especially in high-power rectification. In the experimental investigation of the developed double voltage rectifier MMIC, rectification efficiency of 62 % and output voltage of 32.9 V are obtained at an input power of 30 dBm. This is the highest input power in reported rectifiers from 20 to 40 GHz band. And measured rectification efficiency is extreme higher than the reported efficiency trend versus input power. The reported circuit technique with the GaAs E-PHEMT GAD indicates good possibility for future millimeter-wave high-power transmission. | |
| キーワード | （和） | GaAs E-pHEMT / Gated anode diode / MMIC / 整流器 / / / / |
| （英） | GaAs E-pHEMT / Gated anode diode / MMIC / Rectifier / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 122, no. 411, MW2022-165, pp. 48-53, 2023年3月. | |
| 資料番号 | MW2022-165 | |
| 発行日 | 2023-02-23 (MW) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2022-165 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2023-03-02 - 2023-03-03 |
| 開催地（和） | 鳥取大学(鳥取) 鳥取キャンパス |
| 開催地（英） | Tottori Univ. |
| テーマ（和） | マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Microwave, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2023-03-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaAs E-pHEMT GADを用いる準ミリ波帯1W整流器MMIC |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Quasi millimeter wave high-power rectifier with GaAs E-pHEMT GADs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAs E-pHEMT / GaAs E-pHEMT |
| キーワード(2)（和/英） | Gated anode diode / Gated anode diode |
| キーワード(3)（和/英） | MMIC / MMIC |
| キーワード(4)（和/英） | 整流器 / Rectifier |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角谷 直哉 / Naoya Kakutani / カクタニ ナオヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣瀬 裕也 / Yuya Hirose / ヒロセ ユウヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂井 尚貴 / Naoki Sakai / サカイ ナオキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊東 健治 / Kenji Itoh / イトウ ケンジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
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| 講演者 | 第2著者 |
| 発表日時 | 2023-03-02 14:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2022-165 |
| 巻番号（vol） | vol.122 |
| 号番号（no） | no.411 |
| ページ範囲 | pp.48-53 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2023-02-23 (MW) |
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