講演抄録/キーワード |
講演名 |
2023-03-02 13:00
70 %超ドレイン効率を有する1.6-2.2 GHz帯GaN HEMT連続B/J級高出力増幅器 ○青沼奏志・田中愼一(芝浦工大) MW2022-162 |
抄録 |
(和) |
連続B/J級増幅器は,2次高調波までインピーダンスを制御することで理論的にはB級増幅器の電力効率78.5%を広帯域で維持できる.しかし,実際には設計帯域にて70%以上のドレイン効率を安定確保するのは難しく,その原因としてはFETの寄生成分の影響が関わっていると考えられる。本報告では,真性FETにて理論条件を満たす現実的な回路解を得る設計手法を用い,さらにFET寄生成分の影響のため無視できなくなる3次高調波の影響も考慮することでこれらの課題を克服する検討を行った。その結果,試作したGaN HEMT増幅器にて,1.6-2.2 GHzの帯域で70 %以上のドレイン効率と40 dBm以上の出力を安定して保つ良好な特性が得られた. |
(英) |
A continuous Class-B/J amplifier can theoretically maintain the 78.5 % power efficiency of a Class-B amplifier over a wide bandwidth by controlling the impedance down to the second harmonic. In practice, however, it is difficult to ensure a stable drain efficiency (DE) of more than 70 % in the design bandwidth, which is thought to be due to the influence of parasitic elements in the FET. In this report, we have investigated how to overcome these problems by using a design method to obtain a realistic circuit solution that satisfies the theoretical conditions with genuine FETs, and also by considering the effects of third-order harmonics, which cannot be ignored due to the effects of FET parasitics. As a result, the prototype GaN HEMT amplifier exhibited good characteristics with a DE of over 70% and a stable output power of over 40 dBm in the 1.6-2.2 GHz bandwidth. |
キーワード |
(和) |
連続B/J級 / 高出力増幅器 / ドレイン効率 / GaN / J級 / / / |
(英) |
continuous Class-B/J / wideband operation / drain efficiency / GaN / Class-J / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 122, no. 411, MW2022-162, pp. 31-36, 2023年3月. |
資料番号 |
MW2022-162 |
発行日 |
2023-02-23 (MW) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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