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講演抄録/キーワード
講演名 2023-04-10 09:30
[依頼講演]CAAC-IGZO FET と 0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いた1T1C FeRAM
遠藤正己沼田至優大嶋和晃恵木勇司井坂史人大野敏和手塚祐朗濱田俊樹古谷一馬津田一樹松嵜隆徳大貫達也村川 努國武寛司半導体エネルギー研)・小林正治東大)・山崎舜平半導体エネルギー研)   エレソ技報アーカイブはこちら
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
(英) (Not available yet)
キーワード (和) IGZO / HZO / ダマシン / 後工程 / 1T1C / / /  
(英) IGZO / HZO / damascene / BEOL / 1T1C / / /  
文献情報 信学技報
資料番号  
発行日  
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
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研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2023-04-10 - 2023-04-11 
開催地(和) 川崎市産業振興会館10階第4会議室 
開催地(英)  
テーマ(和) メモリ技術と集積回路技術一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2023-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) CAAC-IGZO FET と 0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いた1T1C FeRAM 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A c-axis aligned crystalline IGZO FET and a 0.06-um2 HfO2-based capacitor 1T1C FeRAM with high voltage tolerance and 10-ns write time 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) IGZO / IGZO  
キーワード(2)(和/英) HZO / HZO  
キーワード(3)(和/英) ダマシン / damascene  
キーワード(4)(和/英) 後工程 / BEOL  
キーワード(5)(和/英) 1T1C / 1T1C  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠藤 正己 / Masami Endo / エンドウ マサミ
第1著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称: SEL)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 沼田 至優 / Numata Shiyuu / ヌマタ シユウ
第2著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称: SEL)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 大嶋 和晃 / Ohshima Kazuaki / オオシマ カズアキ
第3著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称: SEL)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 恵木 勇司 / Egi Yuji / エギ ユウジ
第4著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称: SEL)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 井坂 史人 / Isaka Fumito / イサカ フミト
第5著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称: SEL)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 大野 敏和 / Ohno Toshikazu / オオノ トシカズ
第6著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称: SEL)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 手塚 祐朗 / Tezuka Sachiaki / テヅカ サチアキ
第7著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称: SEL)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 濱田 俊樹 / Hamada Toshiki / ハマダ トシキ
第8著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称: SEL)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 古谷 一馬 / Furutani Kazuma / フルタニ カズマ
第9著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称: SEL)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 津田 一樹 / Tsuda Kazuki / ツダ カズキ
第10著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称: SEL)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 松嵜 隆徳 / Matsuzaki Takanori / マツザキ タカノリ
第11著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称: SEL)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 大貫 達也 / Onuki Tatsuya / オオヌキ タツヤ
第12著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称: SEL)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 村川 努 / Murakawa Tsutomu / ムラカワ ツトム
第13著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称: SEL)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 國武 寛司 / Kunitake Hitoshi / クニタケ ヒトシ
第14著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称: SEL)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 正治 / Masaharu Kobayashi / コバヤシ マサハル
第15著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: The Univ. of Tokyo)
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) 山崎 舜平 / Yamazaki Shunpei / ヤマザキ シュンペイ
第16著者 所属(和/英) 半導体エネルギー研究所 (略称: 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称: SEL)
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
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講演者 第1著者 
発表日時 2023-04-10 09:30:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ICD 
資料番号  
巻番号(vol) vol.123 
号番号(no) no.1 
ページ範囲  
ページ数  
発行日  


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