| 研究会情報 |
| 研究会 |
ICD |
| 開催期間 |
2023-04-10 - 2023-04-11 |
| 開催地（和） |
川崎市産業振興会館10階第４会議室 |
| 開催地（英） |
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| テーマ（和） |
メモリ技術と集積回路技術一般 |
| テーマ（英） |
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| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ICD |
| 会議コード |
2023-04-ICD |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
CAAC-IGZO FET と 0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いた1T1C FeRAM |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
A c-axis aligned crystalline IGZO FET and a 0.06-um2 HfO2-based capacitor 1T1C FeRAM with high voltage tolerance and 10-ns write time |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
IGZO / IGZO |
| キーワード(2)（和/英） |
HZO / HZO |
| キーワード(3)（和/英） |
ダマシン / damascene |
| キーワード(4)（和/英） |
後工程 / BEOL |
| キーワード(5)（和/英） |
1T1C / 1T1C |
| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
遠藤 正己 / Masami Endo / エンドウ マサミ |
| 第1著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
沼田 至優 / Numata Shiyuu / ヌマタ シユウ |
| 第2著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
大嶋 和晃 / Ohshima Kazuaki / オオシマ カズアキ |
| 第3著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
恵木 勇司 / Egi Yuji / エギ ユウジ |
| 第4著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
井坂 史人 / Isaka Fumito / イサカ フミト |
| 第5著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
大野 敏和 / Ohno Toshikazu / オオノ トシカズ |
| 第6著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
手塚 祐朗 / Tezuka Sachiaki / テヅカ サチアキ |
| 第7著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） |
濱田 俊樹 / Hamada Toshiki / ハマダ トシキ |
| 第8著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） |
古谷 一馬 / Furutani Kazuma / フルタニ カズマ |
| 第9著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） |
津田 一樹 / Tsuda Kazuki / ツダ カズキ |
| 第10著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） |
松嵜 隆徳 / Matsuzaki Takanori / マツザキ タカノリ |
| 第11著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） |
大貫 達也 / Onuki Tatsuya / オオヌキ タツヤ |
| 第12著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） |
村川 努 / Murakawa Tsutomu / ムラカワ ツトム |
| 第13著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） |
國武 寛司 / Kunitake Hitoshi / クニタケ ヒトシ |
| 第14著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） |
小林 正治 / Masaharu Kobayashi / コバヤシ マサハル |
| 第15著者 所属（和/英） |
東京大学 (略称： 東大)
The University of Tokyo (略称： The Univ. of Tokyo) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） |
山崎 舜平 / Yamazaki Shunpei / ヤマザキ シュンペイ |
| 第16著者 所属（和/英） |
半導体エネルギー研究所 (略称： 半導体エネルギー研)
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. (略称： SEL) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第17著者 所属（和/英） |
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| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第18著者 所属（和/英） |
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| 第19著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第19著者 所属（和/英） |
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| 第20著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第20著者 所属（和/英） |
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| 第21著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第21著者 所属（和/英） |
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| 第22著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第22著者 所属（和/英） |
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| 第23著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第24著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第25著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第26著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第27著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第28著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第29著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第30著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第31著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第32著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第33著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第34著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第35著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第36著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2023-04-10 09:30:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
ICD |
| 資料番号 |
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| 巻番号（vol） |
vol.123 |
| 号番号（no） |
no.1 |
| ページ範囲 |
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| ページ数 |
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| 発行日 |
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