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| 講演名 | 2023-04-11 11:00 ［招待講演］1 Tb 4b/Cell 176-Tier 3D NAND Flash with 4 Independent Planes for Read ○田中智晴（MMJ）  ICD2023-9 |
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| 抄録 | （和） | メモリセル当たり４ビット(QLC)の記憶方式を用いた、１Tビットの記憶容量の3D-NANDフラッシュメモリを示す。本メモリデバイスは、176層のWLを積層し、1平方mm当たり14.7Gビットの記憶量を持つ。４つのメモリプレーンを有しており、ページサイズはプレーン当たり16kバイトである。第５世代のCMOS under Array (CuA)技術を駆使し、周辺回路とページバッファはメモリセルアレイの下に形成される。このCuA技術により、読み出し及び書き込みのスループットを上げるためのマルチプレーン動作を、ダイサイズの犠牲なく実現する。さらに、ランダム読み出しパフォーマンスを上げるため、非同期式のマルチプレーン読み出し(iWL : independent WL)を搭載する。書き込みは、16-16の2-stepアルゴリズムに基づいて行われる。データ入出力速度は1600MT/sであり、ONFI4.2に準拠している。 |
| （英） | In the presentation, a 1Tb 4b/cell 3D-NAND-Flash memory on a 176-tier technology with a 14.7Gb/mm2 bit density is shown with its innovative features. The die is organized using a 4-plane architecture for multiplane operations with a 16KB page size. The 4-plane architecture improves both program and read throughput, without increasing the die size. Periphery circuitry and page buffers are placed under the array using 5th-generation CMOS under Array (CuA) technology. To improve random read performance, a faster read is provided with a read concurrency feature, allowing four independent multiplane page read addresses. The programming operation is based on a 16-16 programming algorithm. The I/O transfer speed is 1600MT/s in ONFI4.2. | |
| キーワード | （和） | フラッシュメモリ / 3D-NAND / QLC / read concurrency / CuA / / / |
| （英） | flash memory / 3D-NAND / QLC / read concurrency / CuA / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 1, ICD2023-9, pp. 17-17, 2023年4月. | |
| 資料番号 | ICD2023-9 | |
| 発行日 | 2023-04-03 (ICD) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2023-9 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2023-04-10 - 2023-04-11 |
| 開催地（和） | 川崎市産業振興会館10階第４会議室 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | メモリ技術と集積回路技術一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2023-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 1 Tb 4b/Cell 176-Tier 3D NAND Flash with 4 Independent Planes for Read |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 1 Tb 4b/Cell 176-Tier 3D NAND Flash with 4 Independent Planes for Read |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | フラッシュメモリ / flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | 3D-NAND / 3D-NAND |
| キーワード(3)（和/英） | QLC / QLC |
| キーワード(4)（和/英） | read concurrency / read concurrency |
| キーワード(5)（和/英） | CuA / CuA |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 智晴 / Tomoharu Tanaka / タナカ トモハル |
| 第1著者 所属（和/英） | マイクロンメモリ ジャパン株式会社 (略称： MMJ) Micron Memory Japan, K.K. (略称： MMJ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-04-11 11:00:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2023-9 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.1 |
| ページ範囲 | p.17 |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2023-04-03 (ICD) |
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