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| 講演名 | 2023-04-11 14:10 ［招待講演］混載不揮発性メモリ向けのナノブリッジ技術 ○根橋竜介・岡本浩一郎・阪本利司・多田宗弘（NBS）  ICD2023-11 |
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| 抄録 | （和） | ナノブリッジは、電気化学反応を利用した抵抗変化素子の一種である。ナノブリッジは、CMOS性能を犠牲にすることなく、通常のCuバックエンド工程に2枚のマスクの追加で製造できる。今回新たに開発したスプリットCu電極により、セット電圧を低減できることを28nmノードにおいて実証した。我々は、65nmノードの高集積の混載不揮発性メモリマクロを開発した。メモリマクロはP/E=30ns/30nsの書き込み、高い歩留まり、30nsの読み出し、150°C10年以上の保持特性を達成した。 |
| （英） | NanoBridge (NB) is a kind of electrochemical resistive-change device. NBs are integrated by only two additional masks in a standard Cu-BEOL without scarifying CMOS performance. The newly developed split Cu electrode enables the lower set voltage, which have been demonstrated in a 28 nm-node. High density embedded nonvolatile NB memory macro in a 65nm technology is successfully developed with P/E=30ns/30ns programming. High yield is achieved with satisfying 30ns read, and more than 10 years retention at 150°C. | |
| キーワード | （和） | メモリ / 不揮発性 / CBRAM / ReRAM / 伝導性架橋 / ナノブリッジ / 原子スイッチ / |
| （英） | memory / nonvolatile / CBRAM / ReRAM / conducting bridge / nanobridge / atom switch / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 123, no. 1, ICD2023-11, pp. 24-28, 2023年4月. | |
| 資料番号 | ICD2023-11 | |
| 発行日 | 2023-04-03 (ICD) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2023-11 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2023-04-10 - 2023-04-11 |
| 開催地（和） | 川崎市産業振興会館10階第４会議室 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | メモリ技術と集積回路技術一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2023-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 混載不揮発性メモリ向けのナノブリッジ技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | NanoBridge Technology for Embedded Nonvolatile Memory |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | メモリ / memory |
| キーワード(2)（和/英） | 不揮発性 / nonvolatile |
| キーワード(3)（和/英） | CBRAM / CBRAM |
| キーワード(4)（和/英） | ReRAM / ReRAM |
| キーワード(5)（和/英） | 伝導性架橋 / conducting bridge |
| キーワード(6)（和/英） | ナノブリッジ / nanobridge |
| キーワード(7)（和/英） | 原子スイッチ / atom switch |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 根橋 竜介 / Ryusuke Nebashi / ネバシ リュウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社 (略称： NBS) NanoBridge Semiconductor, Inc (略称： NBS) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡本 浩一郎 / Koichiro Okamoto / オカモト コウイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社 (略称： NBS) NanoBridge Semiconductor, Inc (略称： NBS) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 阪本 利司 / Toshitsugu Sakamoto / サカモト トシツグ |
| 第3著者 所属（和/英） | ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社 (略称： NBS) NanoBridge Semiconductor, Inc (略称： NBS) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 多田 宗弘 / Munehiro Tada / タダ ムネヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社 (略称： NBS) NanoBridge Semiconductor, Inc (略称： NBS) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2023-04-11 14:10:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2023-11 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | no.1 |
| ページ範囲 | pp.24-28 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2023-04-03 (ICD) |
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